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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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自打百瓦快充大戰興起,充電器的功率密度不斷提升,氮化鎵和碳化硅第三代半導體的加入,使得PD快充可以做更小體積,縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
隨著氮化鎵技術的不斷發展,氮化鎵也應用在了很多新興領域,充電頭網此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景,幫助大家掌握...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關,更高的熱導率和更低的導通電阻,氮化鎵基功率器件...
氮化鎵基Micro LED新突破可實現更高顯示分辨率與調制速率
氮化鎵(GaN)基Micro LED由于在新一代顯示技術、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景,吸引了眾多研究者的關注。相比于常規尺寸LED,Micr...
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。
了解氮化鎵 -寬帶隙半導體:為什么? -氮化鎵與其他半導體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率?
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數還提供額外的好處,例如碳...
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發和特性評估、功率模塊開發和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時,都需要對其驅動波形進行測試,這時大多數工程...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機械穩定的寬帶隙半導體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻,其性能明顯...
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎,比如高合汽車采用GaN無線充電,而且遠距離無線輸電也在采用氮化鎵技術。
制造大直徑GaN襯底的要點(鈉熔劑法) 豐田合成表示,6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發得益于早期LED氮化鎵襯底技術的積累。
2022-11-18 標簽:氮化鎵 2542 0
報告內容包含: 動機 理論計算 氮化鎵材料參數 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)
MICLEDI認為,其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優勢,可滿足AR眼鏡最高性能標準。目前,相較用于戶外的AR眼鏡,用于室內或較暗場景的...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規雙極驅動程序 GaN GIT (G...
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