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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 1201 0
什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個(gè)原因造成的。 首先,氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì);電動(dòng)汽車充電;加熱,通風(fēng)和空調(diào); 電器;和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中,氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1164 0
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件,通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件,具有顯著優(yōu)勢(shì)。
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 1139 0
對(duì)于那些堅(jiān)持使用經(jīng)典放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的人來(lái)說(shuō),他們的要求將集中在準(zhǔn)確的音頻再現(xiàn)上,而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的,但...
車規(guī)級(jí)氮化鎵(GaN)技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)?
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1107 0
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”)功率開關(guān)。之前...
2023-05-17 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1107 0
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管,1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上,目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...
氮化鎵芯片(GaN芯片)是一種新型的半導(dǎo)體材料,在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點(diǎn)備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進(jìn)步中,氮化...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片電子設(shè)備半導(dǎo)體材料 1098 0
當(dāng)今市場(chǎng)上有許多晶體管選擇,它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此,縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中,GaN晶體管是,但...
以碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高,碳化...
GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為...
2023-08-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1086 0
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí),都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試,這時(shí)大多數(shù)工程...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò),氮化鎵(GaN)之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì):
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成,PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片,背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片,內(nèi)...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢?貼片Y電容有什么優(yōu)點(diǎn)?
在以前,很多手機(jī)充電器都會(huì)用到安規(guī)Y電容,不過(guò)用的都是插件形式的,現(xiàn)在情況明顯不一樣
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