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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前,您可能仍然會好奇GaN 是否具...
采用LDR6282的PD協議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282,順利通過了USB-IF的PD3.0認證,TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計
VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50?W功率的產品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”,因為這不僅降低運行成本,而且減少了以熱的形式浪費能量,意味著需要更少的散熱管理,從而減小了電...
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來,提供獨特的優勢和卓越的特性。例如,有了化合物半...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 :其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅...
氮化鎵充電器有什么優點?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區,從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。
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