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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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當受到戰術機動性和極端操作環境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設計很簡潔，降低設計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達93.6...
到2030年，10類關鍵核心產品可靠性水平達到國際先進水平，可靠性標準引領作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務機構和可靠性專業人才，我國制造業可靠性整體...
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設備激活內部的活性物質，...
數字電源是一種將數字控制技術應用于電源管理應用的能量轉換系統，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復雜拓撲以及設計靈活性等諸多優勢。 關鍵特性與優...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）
提高效率既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。社會需求的壓力和相關法規都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高...
在現代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無輔助轉向變得不切實際，因為對操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動助力轉向。一開始，對駕駛員的輔助是通過液...
三菱電機開發出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行 將有助于實現無線電單元共享和基站節...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperi...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學設備，例如可變放大倍率相機的變焦鏡頭、雙筒望遠鏡、光學顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機相機等小型光學單元也配備了可變放大倍...
X射線衍射法是根據X射線衍射原理來精確測定物質的晶體結構和應力的檢測方法，測試方法簡單、方便、測試結果準確，可以準確判斷材料結晶質量好壞，因此是一種非常...
近日，廈門大學電子科學與技術學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關成果以“Green Vertical-C...
2021年5月份，USB-IF協會正式發布了USB PD3.1快充標準，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監測和新興的...
激光雷達（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統...
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