氮化鎵GaN充電器中同步整流的應用

整理了市面上發售的氮化鎵GaN 充電器產品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產品（QR／ACF＋N...

2020-04-07 標簽：氮化鎵同步整流MPS 1.3萬 0

氮化鎵充電器有什么優點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內部來看這個充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標簽：充電器asic氮化鎵 1.2萬 0

氮化鎵(GaN)技術的優勢及應用領域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應用于商業和國防領域，但工程應用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬 0

硅基氮化鎵工藝流程

硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...

2023-02-11 標簽：功率器件氮化鎵硅基 1.1萬 1

氮化鎵(GaN)功率器件技術解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標簽：MOSFET晶體管功率器件 1.1萬 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC氮化鎵GaN 1.0萬 0

氮化鎵的技術優缺點及在無線基站中的應用分析

用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的...

2020-02-12 標簽：無線基站氮化鎵 9743 0

通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內的氮化鎵 （GaN） 異質結場效應功率晶體管已被證明在功率轉換、電機驅動和激光雷達脈沖光等應用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標簽：emi雷達柵極 9581 0

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優勢

大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSF...

2023-06-12 標簽：電源晶體管PFC 9487 0

淺析氮化鎵技術原理及技術突破路線

　通過種種信息，我們應該都能發現，氮化鎵充電器目前已經快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發出來的，從剛開始出現的30W到現在的14...

2023-02-03 標簽：充電器氮化鎵GaN 9343 0