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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié)，因此在硬開(kāi)關(guān)中，沒(méi)有相關(guān)的反向...
2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 725 0
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 GaN GIT （G...
2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 720 0
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 709 0
氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...
2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 706 0
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...
2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)射頻功率器件 689 0
二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...
高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)
從智能手機(jī)和電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設(shè)計(jì)...
GaN開(kāi)始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車(chē)市場(chǎng)，而非消...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門(mén)生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案
2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 656 0
InnoSwitch3-AQ無(wú)需12V電源就可助力電動(dòng)汽車(chē)高效運(yùn)行
盡管車(chē)身裝備了最先進(jìn)的電池組，但目前的常規(guī)電動(dòng)汽車(chē)仍然使用鉛酸電池在電機(jī)關(guān)閉時(shí)為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)鉛酸電池氮化鎵 649 0
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 642 0
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么，氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車(chē)逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對(duì)頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對(duì)磁芯來(lái)說(shuō)，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會(huì)滿足需求？對(duì)磁芯的選材有什么要求？
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
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