茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術(shù)LD-GaN

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。

2023-06-02 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵GaN 588 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。

2024-11-08 標(biāo)簽：電源電源適配器氮化鎵 583 0

基于電感耦合反應(yīng)離子刻蝕的氮化鎵干蝕研究

GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...

2023-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 573 0

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，...

2023-03-31 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵 550 0

預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路

基于D1A32 GaN器件設(shè)計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵GaN 538 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 532 0

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

2023-12-01 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率密度 530 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 498 0

通過硅和GaN實現(xiàn)高性能電源設(shè)計

MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 496 0

分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...

2024-09-12 標(biāo)簽：分立器件氮化鎵合科泰 483 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 462 0