基于GaN的特性，越來越多的人看好其發(fā)展的后勢

而GaN技術(shù)可以做到，因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_關(guān)器件，并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...

2019-01-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5425 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3632 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3766 0

5G發(fā)展帶動(dòng)硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應(yīng)用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個(gè)單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...

2018-11-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5G 9156 0

基于GaN的開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V，而不考慮VDD軌電壓。同時(shí)，在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中，低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...

2018-10-19 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.2萬 0

移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開發(fā)基于氮化鎵（GaN）的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫，基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)：輸出功率需要提高，同時(shí)保持...

2018-09-20 標(biāo)簽：移動(dòng)通信氮化鎵5G 5629 0

氮化鎵技術(shù)研究新進(jìn)展，如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用？

美國康奈爾大學(xué)，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標(biāo)簽：晶體管電力電子氮化鎵 5553 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢

2018-08-17 標(biāo)簽：二極管氮化鎵碳化硅 6864 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動(dòng)力汽車中的作用

歐盟制定了一個(gè)雄心勃勃的目標(biāo)，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，汽車行業(yè)的貢獻(xiàn)將非常重要。美國企業(yè)平均燃油經(jīng)濟(jì)性（CAF...

2018-03-25 標(biāo)簽：混合動(dòng)力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細(xì)過程

中國首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發(fā)布適合5G移動(dòng)通信的寬...

2018-05-08 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5g 9929 0

GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)...

2018-01-18 標(biāo)簽：二極管mosfet分立器件 1.4萬 0

在氮化鎵技術(shù)中，熱設(shè)計(jì)與電氣設(shè)計(jì)同等重要

為管理今天的熱設(shè)計(jì)，電路設(shè)計(jì)人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴(kuò)散，增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是，熱設(shè)計(jì)不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙，因?yàn)?..

2018-01-04 標(biāo)簽：氮化鎵電氣設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì) 5939 0

詳細(xì)剖析新型氮化鎵功率器件的技術(shù)特性

最近，麻省理工學(xué)院（MIT）、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì)，讓氮化鎵功率器件處理的電...

2018-01-04 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0

基于GaN固態(tài)放大器可實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計(jì)

以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來，GaN將會(huì)越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。

2017-09-18 標(biāo)簽：氮化鎵毫米波 7861 0

實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱型Doherty放大器QPD2731

該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營成本。

2017-08-30 標(biāo)簽：放大器氮化鎵qpd2731 8280 0

解讀射頻GaN市場的機(jī)遇及未來發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...

2016-12-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵gan 4752 0

TI分享五大妙招，輕松應(yīng)對(duì)電源挑戰(zhàn)

“設(shè)計(jì)人員必須知道如何正確且安全地構(gòu)建這些產(chǎn)品，這也需要更高的專注度和更加嚴(yán)格的要求，因?yàn)橥ǔＴO(shè)計(jì)人員面臨的不僅僅是一個(gè)電氣問題，”TI的電源管理專家D...

2016-07-21 標(biāo)簽：TI氮化鎵電源管理設(shè)計(jì) 803 0