碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 462 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 435 0

MPS多口充電器快充方案解析

入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...

2024-11-27 標(biāo)簽：充電器控制器氮化鎵 410 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 387 0

納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路

GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...

2023-04-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 383 0

襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led激光器發(fā)光二極管 381 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOS功率器件氮化鎵 368 0

德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場創(chuàng)新

一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...

2024-11-09 標(biāo)簽：逆變器光伏氮化鎵 358 0

功率半導(dǎo)體封裝的趨勢分析

隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...

2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 346 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 318 0

第一個木制晶體管問世，主頻1Hz！

前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團(tuán)隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...

2023-05-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵碳化硅 314 0