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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項技術的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術，...
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續下去，從而實現新的市場、應用和產品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案...
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地...
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統、電源調節器...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
氮化鎵是一種無機化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點、高硬度和良好的電學性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...
FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術發展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結晶的方法獲得。密度...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...
實現超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。
晶體結構是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現的。理想情況下，考慮到在空間坐標中延伸到無窮大的晶體，周期性轉化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
以前，GaN還是反射頻電子戰(CREW)應用的首選技術； 現在，GaN已被部署到機載電子戰領域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統。
相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅...
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中，需要高功率的射頻信號來驅動每個天線元素，這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...
近年來，隨著移動設備的普及和科技的不斷進步，人們對于充電速度和電池續航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現，對于滿足人們對于充電速度和電池效能的...
隨著碳化硅、氮化鎵等高開關頻率器件的逐漸引入，工程師在調試過程中的測試需求越來越高，此時的高頻信號經常會導致使用不同的儀器測試結果都不一樣情況，到底是哪...
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術之后，市場上出現了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關品質因數（FOM）和更低的電容方...
采用LDR6282的PD協議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數，以保證芯片的質量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質量；砷化...
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