使用寬帶隙技術最大限度地提高高壓轉換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續下去，從而實現新的市場、應用和產品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案...

2023-11-16 標簽：晶體管氮化鎵GaN 9141 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標簽：MOS功率器件氮化鎵 367 0

一文解析氮化嫁技術及產業鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典...

2023-11-14 標簽：新能源汽車射頻功率器件 689 0

廈門大學張保平教授課題組發表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日，廈門大學電子科學與技術學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標簽：激光器氮化鎵VCSEL 828 0

GaN HEMT器件結構解析

硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標簽：集成電路氮化鎵功率半導體 1748 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標簽：MOSFET晶體管功率器件 1.1萬 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...

2023-11-02 標簽：MOS管氮化鎵GaN 734 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優勢和應用領域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

2023-11-02 標簽：半導體功率開關氮化鎵 5263 0

預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標簽：雷達氮化鎵GaN 538 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評測

PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內置...

2023-10-31 標簽：充電器DC-DC氮化鎵 1897 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 1653 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細的拆解報告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內...

2023-10-20 標簽：二極管充電器氮化鎵 1066 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽：充電器晶圓氮化鎵 1466 0

氮化鎵晶體管簡化大電流電機驅動逆變器設計

叉車應用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產商都有一個平臺方法，并銷售按電...

2023-10-18 標簽：逆變器微處理器電機驅動 1526 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優化設計

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55...

2023-10-16 標簽：衰減器氮化鎵PFC電路 2368 0

氮化鎵能實現多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...

2023-10-13 標簽：芯片驅動器FET 734 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC氮化鎵電子開關 2449 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標簽：電感氮化鎵蝕刻 532 0