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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計中，相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢。
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個電感和一個電容）...
氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...
Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢
5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...
2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 4320 0
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...
2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4182 0
氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 4162 1
高保真聲音再現(xiàn)發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質(zhì)量的最新受益者，因為它使這些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關(guān)于最佳家庭音頻設(shè)置構(gòu)成的難...
電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其...
2019-08-29 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵功率半導(dǎo)體 4103 0
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的...
2024-01-10 標(biāo)簽：晶體光電器件半導(dǎo)體材料 4059 0
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...
大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應(yīng)用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產(chǎn)品。 氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之...
在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
材質(zhì)上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。
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