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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

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2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 4188 1

為什么LED能夠發(fā)出不同顏色的光

LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類(lèi)...

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Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 838 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 874 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ)，通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 302 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說(shuō)明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管氮化鎵 7866 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

2023-09-27 標(biāo)簽：PCB 驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1039 0

電子元件失效分析

電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。

2023-09-15 標(biāo)簽：靜電放電氮化鎵紅外光譜儀 1613 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1525 0

硅基氮化鎵未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 480 0

氮化鎵功率器就是電容嗎氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

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2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 620 0

氮化鎵的市場(chǎng)在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開(kāi)關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。其中，高開(kāi)關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...

2023-09-07 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 532 0

通過(guò)單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵（GaN）異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

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安規(guī)貼片Y電容有什么優(yōu)勢(shì)？

傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時(shí)還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個(gè)難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...

2023-09-06 標(biāo)簽：電容電路板氮化鎵 391 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流？

氮化鎵（GaN）功率芯片將多個(gè)電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進(jìn)...

2023-09-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵快充 754 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 960 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)？

納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...

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2023-03-22 標(biāo)簽：ST 氮化鎵快充 1539 0

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