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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵...
我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術進步很快，已經有性能很不錯的貼片式Y電容出現，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y安規電容器，已經被大量...
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...
GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。
第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優秀，因此，第3代半導體的...
雖然GaN在功率器件領域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術和經濟上的挑戰，使得它在電腦電源領域的應用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前，GaN的制造...
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在...
GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中，需要高功率的射頻信號來驅動每個天線元素，這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優于硅，尤其在高頻和高速開關狀態下。由于其出色的電子移動性、...
高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...
相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅...
2021年5月份，USB-IF協會正式發布了USB PD3.1快充標準，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...
氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。正因其各方面都有著非常好的...
氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品，該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...
來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優勢，比如氮化鎵基器件已成功規模應用于快充領域。...
GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優化，在雷達中的應用有以下優勢和劣勢： 優勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...
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