銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3367 0

通過100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案

在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。

2021-03-23 標(biāo)簽：通信技術(shù)晶體管氮化鎵 3354 0

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...

2023-11-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體 3352 1

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3331 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。

2022-07-12 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 3304 0

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 3295 0

蘋果氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

蘋果氮化鎵充電器是一種新型的充電器，它采用了氮化鎵材料來實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相比，蘋果氮化鎵充電器在多個(gè)方面表現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢。本文將...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器蘋果氮化鎵 3292 0

硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換

隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。

2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 3285 0

基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D LED技術(shù)

Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...

2021-03-30 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 3244 0

筆記本氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

筆記本電腦是現(xiàn)代人生活中必不可少的電子設(shè)備之一，而電池的續(xù)航時(shí)間則直接關(guān)系到筆記本的使用體驗(yàn)。因此，選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對于延長筆記本電腦的使用時(shí)間...

2024-01-10 標(biāo)簽：筆記本充電器電子設(shè)備 3238 0

什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光二極管氮化鎵 3225 0

氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn)有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn)： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵碳化硅 3207 0

氮化鎵工藝缺點(diǎn)有哪些

隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設(shè)計(jì)方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長電池續(xù)航時(shí)...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3195 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件特性 氮化鎵半導(dǎo)體器件有哪些

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

2023-02-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體激光器 3178 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3166 0