氮化鎵器件和解決方案的進展與應用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業務部門總經理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標簽：adi氮化鎵 3164 0

具有保護功能的GaN器件實現下一代工業電源設計的挑戰

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標簽：開關電源場效應晶體管氮化鎵 3068 0

發光二極管是由什么材料制成的 發光二極管是半導體嗎

發光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉化為可見光。它由半導體材料制成，是一種先進的光電器件。本文將詳...

2024-02-19 標簽：半導體發光二極管電子器件 2997 0

氮化鎵mos管驅動方法

氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發揮氮化鎵MOS管的優勢...

2024-01-10 標簽：電阻MOS管功率器件 2985 0

氮化鎵和砷化鎵哪個先進

氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二...

2024-09-02 標簽：半導體材料氮化鎵砷化鎵 2961 0

氮化鎵用途和性質

氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標簽：晶體管半導體材料氮化鎵 2960 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。

2023-03-28 標簽：IGBTSiC氮化鎵 2935 0

使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

2022-04-27 標簽：安森美氮化鎵GaN 2922 0

氮化鎵的優勢特點！

傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標簽：晶體管SiC氮化鎵 2850 0

vivo氮化鎵充電器和普通充電器區別

Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區別。本文章將介紹這些區別，內容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...

2024-01-10 標簽：充電器半導體材料氮化鎵 2841 0

安森美半導體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數...

2016-06-28 標簽：安森美氮化鎵GaN 2747 0