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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地
第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩定性等特點，被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件...
氮化鎵具有優異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。
納微半導體全速助力蔚來手機，GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯用戶體驗
為支撐如此強大且齊全的功能，蔚來給這款手機配備了一顆5,200mAh的大容量電池，隨手機標配的GaNFast氮化鎵快速充電器，可為該手機提供最大66W的...
碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬...
來源：湖北九峰山實驗室 ? 2023年11月，九峰山實驗室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經驗證，該器件性能已達到國際前...
近日，在第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上，香港科技大學講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數字應用的氮化鎵器...
清軟微視是清華大學知識產權轉化的高新技術企業，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發。其自主研發的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和...
根據芯思想研究院數據，2022 年通富微電是全球第四，中國大陸第二 OSAT 廠商，全球市占率 6.51%。公司收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
德州儀器 (TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺...
硅是最常見的半導體材料，它具有穩定性好、成本低、加工工藝成熟等優點。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應用最廣泛。...
GaN器件是平面器件，與現有的Si半導體工藝兼容性強，因此更容易與其他半導體器件集成，進一步降低用戶的使用門檻，并在不同應用領域展現它的屬性和優勢，很有...
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商 KYOCERA AVX Comp...
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
美國政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬美元新資金，GF計劃購買額外的工具，以擴大開發和原型設計能力...
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