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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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國產(chǎn)氮化鎵實現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關鍵問題之一是它們在開關操作期間的動態(tài)導通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。
氮化鎵mos管普通的驅動芯片可以驅動嗎？ 當涉及到驅動氮化鎵（GaN）MOS管時，需要考慮多個因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護等。通常...
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學等領域。對于氮化鎵激光器芯片的清潔維護非...
雖然氮化鎵（GaN）半導體在汽車應用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達...
氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認為是下一代充電器技術的關鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高...
氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別？
氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？ 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新...
GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時，Ga...
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，...
動力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后，擴張增速進入調整期。但新能源動儲賽道發(fā)展大勢仍為全球共識，或將仍然是未來增速較快的行業(yè)之一。
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發(fā)出650V、900V、...
◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...
第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導體材料，興起于二十世紀五十年代，帶動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，被廣泛的應用于消費電子、...
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用的850V Cynthus?系...
“在2024財年第二季度，我們看到了強勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長，同時，毛利率同比增長了近一倍。我們對產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設計勝利感到高興，大功率設計的成...
Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對AR而言具有主要優(yōu)勢。但同時，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領域。隨著科技的不斷發(fā)展...
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有...
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質和廣泛的應用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質和用途。
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