功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)召開電話會(huì)議

? ?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。納微半導(dǎo)體管理層將召開電...

2023-11-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 523 0

氮化鎵的技術(shù)日漸壯大

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高...

2023-11-07 標(biāo)簽：led電源適配器氮化鎵 443 0

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 992 0

應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？

GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料...

2023-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 587 0

南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國(guó)星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

2023-11-06 標(biāo)簽：LED芯片功率器件氮化鎵 1354 0

納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...

2023-11-03 標(biāo)簽：智能手機(jī)充電器氮化鎵 1071 0

納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片

2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車OLED屏氮化鎵 1441 0

Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...

2023-11-02 標(biāo)簽：散熱器Power氮化鎵 1160 0

COSEL推出用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源

基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術(shù)，新型電源可為工業(yè)應(yīng)用節(jié)省高達(dá)58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源...

2023-11-02 標(biāo)簽：電源電子技術(shù)氮化鎵 733 0

揭秘寬禁帶器件檢測(cè)要點(diǎn)？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 213 0

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...

2023-11-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 750 0

Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC

Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...

2023-10-31 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵電源IC 4980 0

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定...

2023-10-31 標(biāo)簽：開關(guān)IC氮化鎵 588 0

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日，現(xiàn)場(chǎng)見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)資...

2023-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 762 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片？

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件。可以顯著降低功率損耗和散熱負(fù)載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 462 0

120W氮化鎵芯片KT65C1R120D的特點(diǎn)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開始在各個(gè)領(lǐng)域...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 705 0

氮化鎵芯片如何選擇？

氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片IC氮化鎵 779 0