GaN圈“掃地僧”譽鴻錦：身藏寶藏，初現鋒芒

10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發布會活動...

2023-10-17 標簽：半導體氮化鎵GaN 1565 0

Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統

使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 20...

2023-10-16 標簽：氮化鎵 725 0

氮化鎵材料在電力電子器件中的應用

隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電...

2023-10-13 標簽：芯片電子器件氮化鎵 890 0

一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進入電子領域

作為氮化鎵快充控制器國產化的先行者，KeepTops率先實現了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產集成GaN直驅的控制器。得到了業界的廣泛認可，現已推...

2023-10-11 標簽：芯片氮化鎵 599 0

GaN 技術能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現這些改進帶來了挑戰。因...

2023-10-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 863 0

進入第三代半導體領域，開啟電子技術的新紀元

第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優勢，這些優勢源于新材料和器件結構的創新。

2023-10-10 標簽：芯片半導體氮化鎵 685 0

氮化鎵的好處

GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價帶移動到導帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強的電子遷移率與更...

2023-10-10 標簽：芯片氮化鎵 874 0

CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-10-10 標簽：臺積電氮化鎵CGD 465 0

SiC 和 GaN：兩種半導體的發展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設...

2023-10-08 標簽：SiC氮化鎵GaN 909 0

氮化鎵功率器件測試方案

在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用...

2023-10-08 標簽：測試功率器件氮化鎵 1147 0

GaN技術：電子領域的下一波浪潮

GaN技術正在電力電子領域嶄露頭角，受到了廣泛的關注和投資。這一前沿技術在汽車、消費電子和航空航天等領域，特別是在功率轉換應用中，展現了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標簽：電動汽車氮化鎵GaN 669 0

氮化鎵和碳化硅的結構和性能有何不同

作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體，是因為它們...

2023-10-07 標簽：MOS氮化鎵功率半導體 1128 0

關于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干...

2023-10-07 標簽：半導體晶圓氮化鎵 793 0

分析氮化鎵芯片的特點

作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯...

2023-10-07 標簽：芯片封裝氮化鎵 889 0