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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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西安電子科技大學表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準備、密封測試等整個工程的研發和技術服務能力。接著革新中心是第三代半導體技術公共...
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當第三代半導體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容？? 氮化鎵充電器常用貼片Y電容，主要是因為它具有以下幾個優點： 1. 體積小 貼片Y電容的尺寸較小，體積小巧，可以方...
隨著全球進入物聯網、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉換效率半導體材料開始...
當今開關電源設計中的五大問題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業的發展，需要相同或...
大功率器件氮化鎵芯片系列產品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，K...
如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產品
選擇氮化鎵芯片時，根據應用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據具體的應用場景選擇合...
氮化鎵芯片在快充技術中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監測和調整充電電流、電壓和充電模式，確保快充過程的安全和穩定。它可以精確控制充...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導體材料，整體發展較晚，滲透率較低。隨著半導體化合物的穩定發展，第三代半導體具有高穿透電場、高導熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產能，面向第三代半導體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發定位創...
GaN行業新標桿：比業界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驅動器
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）為了實現“雙碳”（“碳達峰”和“碳中和”）目標，全球主要國家和地區在環保法規上持續收緊，給消費、汽車、工業和能源等重點領域...
對于近幾年的電子產品來說，隨著充電技術的普及，快速充電技術在各種電子設備上得到了普及。我們經常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環節中最...
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
從產能來看，湖南三安現有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/...
氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非...
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型...
氮化鎵主要用于LED(發光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術。QPA4246D對于37....
意法半導體GaN驅動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應...
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