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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案，采用獲得專利的ACF拓撲，滿足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
本期為大家帶來的是100W氮化鎵充電器詳細介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口，兩個USB-C口均支持100W PD快充和PPS快充，US...
在第三代半導體領域，氮化鎵功率器件因在效率、頻率、體積等綜合方面優勢顯著，在快充等消費電子市場實現率先放量，并在國內外主流手機廠商布局的推動下，滲透率持續提升。
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設備的...
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級、獨立...
Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC， 為氮化鎵技術樹立新標桿
美國加利福尼亞州圣何塞， 2024 年 11 月 4 日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯...
2024-11-05 標簽：氮化鎵 354 0
德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，加上已有 GaN ...
近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導體已經正式投產。
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協議芯片XPD7...
泰克先進半導體實驗室 遠山半導體發布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發揮，主要在消...
德州儀器正式投產氮化鎵功率半導體產品，展現自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產基于氮化鎵(GaN)技術的功率半導體產品，此舉標志著該公司在GaN半...
近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項重要進展。其位于日本會津的工廠已經正式投產基于氮化鎵（GaN）的功率半導體。這一舉措標志著德州儀器在氮化鎵功...
近日，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導體領域深化與臺積電的合作，其氮化鎵產品將全面交由臺積電代工生產。這一舉措標志著氮化鎵...
目前市場上的電動車使用的是400V和800V的電池，標稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導電部件上，可能會導致致命風險。為了防止...
德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體的生產。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業務，將使TI...
英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導體優化無線功率
英飛凌近日宣布與總部位于加拿大AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供Coo...
9月，英飛凌宣布成功開發出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效...
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）十年前納微半導體作為氮化鎵行業的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產品，也...
據悉，10 月 17 日， 中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司 （以下簡稱“中芯聚源”）董事長高永崗、董事總經理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
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