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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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Mojo Vision開發300mm藍色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示，Micro LED技術為顯示器提供了關鍵性能表現、效率和外形優勢，這對于擴展現實 (XR)、可穿戴設備、汽車、消費電子和高...
新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用...
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
GaN 通過實現更快的數據傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術的發展中發揮著至關重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號，使其成為 5G 基站...
隨著氮化鎵技術的逐漸成熟，越來越多的AC/DC轉換器采用氮化鎵作為開關元件，以取代傳統的硅元件。在這種新技術的應用中，導電性電容器也扮演著重要的角色。
高頻驅動下的第三代半導體服務器電源對磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對話通過行業內權威教授、服務器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對...
氮化鎵是一種新興的半導體材料，具有優異的電學、光學和熱學性能。由于其獨特的特性，氮化鎵在各種領域都有廣泛的應用，如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...
現代生活離不開手機，但是低效率和漫長的充電時間卻讓人煩惱不已。現在，有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導體材料技術，使...
隨著電動汽車和無人機等高功率設備的快速發展，對快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導體材料，可以幫助滿足這些需求。在本...
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升...
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術挑戰。選擇合理的產業化路線對推動Micro LED應用落地非常關鍵。
氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領域的廣泛應用，氮化鎵功率器件已經成為了消費電子領域的新寵，應用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優異的性能和良好的...
GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優勢
GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術的功率器件，具有較低的導通電阻和開關損耗、高的開關速度和可靠性。其特點和優勢如下：1. 低導通電阻...
65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附...
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 ? 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密...
2023-04-19 標簽：氮化鎵 1047 0
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高...
近幾年，隨著手機等電子產品的普及，人們對于快速充電的需求越來越高。在這樣的趨勢下，愛美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案，其高效、安全、快速...
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體...
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