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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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1A2C-65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3....
由于技術門檻較高,只有國際極少數頂尖企業掌握該芯片的生產制造技術。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題, 2020年9月,颶芯科技正式簽約入駐北部生態新...
碳化硅襯底產品通過外延和核心器件企業,制成的終端產品應用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統。
發貨量超75,000,000顆!納微半導體創氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰
下一代功率半導體領導者創下行業新里程碑,全面進軍電動汽車、數據中心、太陽能、家用電器、工業和移動快充領域,該市場潛力達每年130億美元。 美國加利福尼亞...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩定、成本更優的氮化鎵功率芯片
自氮化鎵進軍快充市場以來,不過短短幾年時間,其憑借著極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統硅器件充...
納微半導體發布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片,引領氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成, 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
針對工業和400V系統汽車電源,PI推出新款PowiGaN InnoSwitch-3器件
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術,可提供高達100...
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而,散熱問題是制約其...
據統計,來自消費電子快充的需求是整個氮化鎵市場主要的驅動力,占氮化鎵器件市場總規模的60%。作為第三代半導體,氮化鎵器件得益于固有優勢,未來會在功率領域...
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
價格下降、與Si器件價差縮小,氮化鎵或成終端廠商進入高端市場的“寶劍”
價格下降、與Si器件價差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進入高端市場的“寶劍” ? 電子發燒友網報道(文/莫婷婷)作為第三代半導體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...
Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續未來
3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四,佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心 【2023年3月13日,英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...
納微半導體2022年第四季度及全年財報亮眼 2022年收入增長60%
1 2022年收入增長60%。 2 納微藉技術、終端市場、地域多樣化形成規模優勢。 3 取代功率半導體器件中的傳統硅應用;實現新增長市場電氣化。 下一代...
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