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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中...
氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在...
2023-02-17 標簽:氮化鎵 9832 0
Hanebeck曾提到英飛凌準備斥資數十億歐元進行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導體材料供應方面,特別是碳化硅 (SiC)。
VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路
因此,VisIC Technologies 已經證明其 D3GaN(直接驅動耗盡型氮化鎵)半導體技術非常適合最具挑戰性的大功率汽車應用。快速開關應用中需...
氮化鎵屬于第三代半導體材料,相對硅而言,氮化鎵間隙更寬,導電性更好,將普通充電器替換為氮化鎵充電器,充電的效率更高。
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料,也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。
硅基氮化鎵是第三代半導體化合材料,有著能量密度高、可靠性高的優點,能夠代替很多傳統的硅材料,晶圓可以做得很大,晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
氮化鎵(GaN)作為現在重要的第三代半導體材料,具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力,能夠...
USB PD3.1 能夠迅速商業化,離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發布的16 英寸MacBook Pro,成為全球首款支持US...
氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件,除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外,其授權率高達約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態。
第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等,適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件,可用于衛星、汽車、雷達、工業、...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
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