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標簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。

文章:1455 瀏覽:116484 帖子:76

氮化鎵資訊

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2023-02-12 標簽:射頻氮化鎵碳化硅 2088 0

氮化鎵對新能源汽車有什么影響

氮化鎵(GaN)作為現在重要的第三代半導體材料,具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力,能夠...

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氮化鎵行業發展前景如何?

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氮化鎵根據襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵:碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優勢,適用于5G基站、衛星、雷達等領域;硅基氮化...

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南芯科技推出PD3.1 140W單口/多口快充解決方案

USB PD3.1 能夠迅速商業化,離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發布的16 英寸MacBook Pro,成為全球首款支持US...

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許多由氮化鎵(也稱為GaN)制成的的東西正在電力電子領域發生變化。今天,您可以購買帶有足夠電量的小型USB-C充電器,它可以同時為您的筆記本電腦、手機和...

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氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成...

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目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件,除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外,其授權率高達約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態。

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