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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...
中國氮化鎵芯片市場占據全球約 %的市場份額,為全球最主要的消費市場之一,且增速高于全球。2021年市場規模約 億元,2017-2021年年復合增長率約為 %。
氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一,氮化鎵本身是第三代的半導體材料,許多特性都比傳統硅基半導體更強。
幾十年來,硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復合半導體已經開發出來,具有獨特的優勢和優越的財產。例如,利用化合物半導體,開發了...
Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
氮化鎵工藝發展現狀 氮化鎵是當前發展最成款的競禁帶半導體材料,世界各國對氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃。氮化鎵因具有很大...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 1317 0
氮化鎵用途和性質 第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,是5G時代的主要材料,其中氮化鎵(GaN)和碳化...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 2287 0
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產業概述 1、產業地位 隨著半導體化合物持續發展,相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體,第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 1017 0
什么是氮化鎵技術 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 2814 0
麥科信OIP系列光隔離探頭應用場景之——助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
作為功率半導體廠商,為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業內約定俗成的事。也就是說,作為半導體原廠不僅要設計好芯片,還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅(Si)具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
本實驗通過以自主研發的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點,采用物理氣相傳輸(physical...
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導體材料,禁帶寬度為3.4eV,對應截至波長365nm,對可見光無響應,克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應,且紫外靈...
SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵(GaN)晶體管驅動器,獨立可配置的開通和關斷驅動通道,具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...
近些年,輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監測、關節角度評估和運動頻率測量等人體運動監測領域廣受關注。尤其是基于光纖的曲率傳感器,因其成本低、耐腐...
據了解,市場上的65W快充產品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉換器、快充協議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容...
? 全球繼電器銷售額呈現整體增長趨勢,主要得益于汽車、家用電器、工業控制等傳統下游市場穩定增長,以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新興產業的快速發...
與硅相比,SiC和GaN(不僅作為寬帶隙半導體,而且作為材料本身)在品質因數(εμeEc3)方面顯示出其出色的性能水平:SiC高440倍,GaN高1130倍。
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