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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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關于氮化鎵(GaN)衍生功率器件的可行性,人們一直在進行無休止的猜測和相當多的懷疑,但Dialog半導體認為它已經破解了它。基于GaN的功率器件具有...
2022-10-21 標簽:氮化鎵 1209 0
近日,深圳市泰高技術有限公司(下稱“泰高”)與世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)簽署代理協議,授權世強先進代理其旗下氮化鎵電源產品、低...
美國“2022芯片與科學法案”或對全球半導體格局產生影響。該法案主要包括兩方面內容:一是向半導體行業提供約527億美元的資金支持,并為企業提供價值240...
氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促...
__[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家,最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引...
貿澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
貿澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴展頻率范圍,并在13.75至14.5GHz的標準范圍內實現55W的飽和輸出功率。
蘇州高新區與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯合新品發布會開幕!
9月20日,蘇州高新區水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯合新品發布會在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會議主要就消費類電子領域首次采用水芯數字電...
然而,一個諧波濾波器需要一個保護帶,以達到對帶內頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如,如圖2所示,第一個頻段不能是30至60MHz,或一個倍頻程,因為...
納微半導體GaNSense半橋芯片達到更高層級的效率和節能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅動器,以及控制、電平轉換、傳感和保護功能,為電子元件創建了一個易于使用的系統構建塊。相...
前言 氮化鎵技術在消費類電源領域的大規模商用,帶來了電源配件產品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性,體積小巧、更加便攜的高密度快充...
氮化鎵企業納微半導體宣布收購GeneSiC Semiconductor(GeneSiC),加速向高功率市場擴張。納微半導體稱,合并后的公司將在下一代功率...
自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅中使用后,整個世界對碳化硅的討論就沒有停過,也促進了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應用,從而提高充電速度...
第四屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會,并受邀發表主題演講,與產業鏈上下游、設備及關鍵零部件研究、生產單位專家代...
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