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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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QPA3908 和 QPA3810 為集成式兩級 PAM，專為大規(guī)模 MIMO 應(yīng)用而設(shè)計，器件輸出具有 8 瓦 RMS。QPA3908 的工作頻率范圍...
兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810
日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實施 QPA3908 和 QPA38...
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發(fā)
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計組合包括廣泛的...
納微半導(dǎo)體助力一加ACE手機首款標配氮化鎵充電器發(fā)布
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機實現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半...
2022-08-12 標簽：手機氮化鎵納微半導(dǎo)體 9119 0
在當今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計重點是最大限度地提高效率和功率密度，同時最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當前的設(shè)計實踐，以...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
設(shè)計人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開關(guān)損耗。
GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)節(jié)中...
多年來，設(shè)計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 950 0
電動汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對緊湊輕巧的電源管理解決方案的強烈需求同時又不影響車輛性能。同時，設(shè)計更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高： 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高，無法達到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
Diamond 實現(xiàn)大功率電子產(chǎn)品的熱管理
Diafilm TM220 是一種化學(xué)氣相沉積 （CVD） 金剛石熱等級，可為工業(yè)用戶提供超過 2200 W/mK 的熱導(dǎo)率。
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場。電動汽車 (EV) 的技術(shù)進步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個參...
電子元件和電路的適當熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運行和可靠性的基本要求。當前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢以及對功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2338 0
國產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”，中國空間站、北斗、火星探測都已經(jīng)用上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上...
拆解|QR架構(gòu)、功率密度0.91W/cm3的國產(chǎn)30W 氮化鎵快充
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）隨著電子設(shè)備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關(guān)頻率的氮化鎵，在消費類快充領(lǐng)域進入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...
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