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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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GaN 提高了功率轉換級的效率,使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比,GaN 具有許多優勢,包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅 (Si),因為它的資源豐富且價格實惠。然而,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數都提供額外的好處...
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN,芯片...
在設計基于氮化鎵的轉換器七年后,我們可以肯定地說,從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉換是一個革命性事件,其規??膳c 70 年代后期的功率 MOS...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而,以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布,全球電源產品和電動...
2022-07-29 標簽:適配器氮化鎵Transphorm 714 0
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品,包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座,屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列,進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
軍用、航空系統從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現在,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導體材料滿足了軍事和航空航天系統對更高功率密度和改進冷卻的巨大需求,這讓這兩個行...
每個世紀在人類努力的各個領域都有其重大發明。對于電力電子而言,21世紀正在加速發現寬帶隙。在過去的二十年里,研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗...
下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT
納米電子和數字技術研究與創新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議(IEEE IEDM 2021)上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...
數據中心鈦基準性能優于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數據中心中數量龐大且不斷增加的服務器,每個都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲大量數據的內存,因此需要增加功率。為了支持...
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