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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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日本公司正積極投入大規模生產氮化鎵（GaN）功率半導體器件，旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵功率半導體優化無線功率
10月16日，中國網絡空間安全協會發布了一篇題為《警惕！英特爾產品網絡安全風險凸顯，系統排查刻不容緩》的文章，讀后引人深思。若文章內容屬實，底層硬件芯片...
英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導體優化無線充電功率
全球領先的功率系統與物聯網半導體供應商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣布與加拿大企業AWL-Elect...
集成之巔，易用至極！納微發布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業界最快、最小、最高效的解決方案。...
近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源...
ROHM擁有多年電源產品研發經驗，近年更以寬能隙半導體GaN產品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導通電阻加上優異的高速開關性能，絕對值得您深入了解。
良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創于1990年，其產品主要包括電源插座、轉換器、墻壁開關等。
根據Global Info Research電子及半導體項目團隊最新調研，預計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產值達到305百萬美元，2024-2030年期...
9月19日，晶通半導體（深圳）有限公司（簡稱“晶通半導體”）正式宣布完成了總額達6000萬元人民幣的Pre-A輪融資，本輪融資吸引了賽富投資基金、知名天...
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）提升芯片產能的最顯著方式，就是擴大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續擴大晶圓...
碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG設備顯示出以下優點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...
英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現有的大規模300mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●300...
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術， 推動行業變革
2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵（GaN...
40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發售！
誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側兩到三顆芯片的功能，通過高集成...
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班
來源：內容來自中國電源學會01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨...
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術正在提供更快的開關速度、更小的尺寸...
來源：集邦化合物半導體 7月底，總部位于比利時奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請破產，近日傳出...
氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業升級
自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場持續升溫，成為半導體行業的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業界巨頭紛紛通過并購GaN技術公司，加速在這一領域的布...
氮化鎵是一種由氮和鎵結合而來的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時也以英文名GaN Day傳播到全...
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導體技術與產業鏈創新發...
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