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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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第一代半導體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導體，它們是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎材料。
氮化家是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半...
直擊氮化鎵領域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技
中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發氮化鎵的應用未來。未來，雙方將攜手克服...
倍思發布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵
倍思發布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，支持PD3.1、QC4+、QC3.0等多種充電協議，并采用“2C1A”輸出接口，售價...
大聯大友尚集團推出基于Diodes產品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案
2022年4月19日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于達爾科技（Diodes）AP3306、APR34...
昨日晚間，倍思召開了 2022 年春季新品發布會，帶來20余款新品，隨即倍思發布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，新品支持最新...
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統設計人員而設計，在極小的芯片級封裝中，實現?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，...
GaN 可為射頻應用帶來獨特的優勢。GaN 獨特的材料屬性可為射頻系統提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優勢和堅固耐用等優勢。
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) M...
GaN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅動和系統要求。
氮化鎵作為下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術，集成了氮化鎵功率場效應管...
近年來，氮化鎵開關非常火爆，PI的InnoSwitch3內部就集成了氮化鎵開關，在本次發布的新品中也使用了氮化鎵開關。閻金光說，氮化鎵開關導通電阻低，比...
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導體材料，在半導體行業是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領域還包...
APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內部...
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。
納微氮化鎵功率芯片進入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器
Navitas 首席執行官兼聯合創始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消費者欣賞具有創新、性能和質量卓越的領先技術。 “三星和納微在提供下一...
納微半導體助力Redmi K50冠軍版電競手機發布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機震撼上市
納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共...
領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）正在執行其fab-liter制造戰略，最終目標是通過擴大毛利率實現可持續...
SWIECH游戲機便攜式底座大家眾所周知。投屏到TV上或者顯示器上，大屏玩游戲體驗感更加。 SWITCH游戲機投屏時，必須接上適配器，攜帶不方便。現在市...
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