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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

未來氮化鎵快充技術(shù)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用

2020年2月13日小米的線上發(fā)布會(huì)上,小65W氮化鎵充電器問世。同時(shí),氮化鎵(GaN)快充在發(fā)布會(huì)上也被雷軍一舉捧紅,成為了當(dāng)下的一個(gè)熱門高頻詞匯。 ...

2020-07-16 標(biāo)簽:氮化鎵快充技術(shù) 954 0

氮化鎵充電器的發(fā)展前景_氮化鎵充電器概念股

氮化鎵充電器前景非常明朗,大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢,或者說氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)?下面給給大家進(jìn)行解答。

2020-04-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 5377 0

氮化鎵充電器拆解

ANKER GaN技術(shù)充電器的第一款產(chǎn)品正式在國(guó)內(nèi)上市,名叫ANKER PowerPort Atom PD 1,它支持USB PD快充,最大輸出達(dá)30W...

2020-04-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 2.1萬 0

氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...

2020-04-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 8.0萬 0

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...

2020-04-08 標(biāo)簽:氮化鎵microled 4311 0

手機(jī)廠商紛紛入局 華為也將發(fā)布65W氮化鎵充電器?

小米10系列發(fā)布會(huì)讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局,可以說是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。

2020-04-08 標(biāo)簽:華為氮化鎵 5805 0

氮化鎵需求逐漸升溫 快充價(jià)格出現(xiàn)新低

由于對(duì)設(shè)計(jì)、制造業(yè)者來說,資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗(yàn),因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展,如今,已演變?yōu)闃I(yè)界擴(kuò)大合作,加快產(chǎn)業(yè)...

2020-04-07 標(biāo)簽:氮化鎵 2253 0

氮化鎵助力快充小型化,KEMET聚合物鉭電容大顯身手!

高功率快充在近幾年成為了充電市場(chǎng)的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。

2020-03-25 標(biāo)簽:鉭電容氮化鎵電解電容器 2188 0

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法的簡(jiǎn)單分析

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法的簡(jiǎn)單分析

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。

2020-03-21 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵 5468 0

Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在貿(mào)澤開售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性(CMTI)

MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品,屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI),用于驅(qū)動(dòng)各種逆...

2020-03-21 標(biāo)簽:Maxim逆變器氮化鎵 983 0

專利解密之三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法

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氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。

2020-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵三安光電 2859 0

三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過程專利

三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過程專利

三安光電提出的此項(xiàng)專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。

2020-03-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵三安光電 3685 0

康佳訂購(gòu)AIXTRON MOCVD系統(tǒng)進(jìn)入Micro LED試生產(chǎn)

與現(xiàn)有的LCD和OLED技術(shù)相比,Micro LED為消費(fèi)類移動(dòng)產(chǎn)品以及高端電視顯示器的設(shè)計(jì)提供了新的機(jī)遇。

2020-03-18 標(biāo)簽:顯示器氮化鎵康佳 1125 0

5G時(shí)代氮化鎵的優(yōu)勢(shì)到底有多明顯

氮化鎵(GaN)被譽(yù)為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,具有帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...

2020-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵5G 9038 0

貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。

2020-03-16 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 1366 0

倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示

19年12月份,購(gòu)買了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元; 購(gòu)買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...

2020-03-16 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 5958 0

Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC

PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...

2020-03-15 標(biāo)簽:Power晶體管氮化鎵 1629 0

韓國(guó)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低

據(jù)BusinessKorea報(bào)道,韓國(guó)科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉,...

2020-03-10 標(biāo)簽:led氮化鎵 934 0

意法半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Exagan多數(shù)股權(quán) 氮化鎵制程技術(shù)將加速開發(fā)

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場(chǎng)重視,半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前,意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企...

2020-03-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵 2900 0

馬瑞利與Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作 將進(jìn)一步完善新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局

日前,汽車零部件供應(yīng)商MARELLI(馬瑞利)與半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域的的動(dòng)力總成逆變器開發(fā)技術(shù),...

2020-03-10 標(biāo)簽:新能源汽車氮化鎵Transphorm 1091 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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