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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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未來氮化鎵快充技術(shù)將會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用
2020年2月13日小米的線上發(fā)布會(huì)上,小65W氮化鎵充電器問世。同時(shí),氮化鎵(GaN)快充在發(fā)布會(huì)上也被雷軍一舉捧紅,成為了當(dāng)下的一個(gè)熱門高頻詞匯。 ...
氮化鎵充電器前景非常明朗,大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢,或者說氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)?下面給給大家進(jìn)行解答。
ANKER GaN技術(shù)充電器的第一款產(chǎn)品正式在國(guó)內(nèi)上市,名叫ANKER PowerPort Atom PD 1,它支持USB PD快充,最大輸出達(dá)30W...
氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題
近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...
手機(jī)廠商紛紛入局 華為也將發(fā)布65W氮化鎵充電器?
小米10系列發(fā)布會(huì)讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局,可以說是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。
由于對(duì)設(shè)計(jì)、制造業(yè)者來說,資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗(yàn),因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展,如今,已演變?yōu)闃I(yè)界擴(kuò)大合作,加快產(chǎn)業(yè)...
2020-04-07 標(biāo)簽:氮化鎵 2253 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場(chǎng)的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法的簡(jiǎn)單分析
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在貿(mào)澤開售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性(CMTI)
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品,屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI),用于驅(qū)動(dòng)各種逆...
專利解密之三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過程專利
三安光電提出的此項(xiàng)專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。
2020-03-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵三安光電 3685 0
康佳訂購(gòu)AIXTRON MOCVD系統(tǒng)進(jìn)入Micro LED試生產(chǎn)
與現(xiàn)有的LCD和OLED技術(shù)相比,Micro LED為消費(fèi)類移動(dòng)產(chǎn)品以及高端電視顯示器的設(shè)計(jì)提供了新的機(jī)遇。
5G時(shí)代氮化鎵的優(yōu)勢(shì)到底有多明顯
氮化鎵(GaN)被譽(yù)為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,具有帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。
2020-03-16 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 1366 0
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示
19年12月份,購(gòu)買了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元; 購(gòu)買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC
PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94%,其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...
韓國(guó)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低
據(jù)BusinessKorea報(bào)道,韓國(guó)科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉,...
意法半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Exagan多數(shù)股權(quán) 氮化鎵制程技術(shù)將加速開發(fā)
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表第三代半導(dǎo)體材料越來越受到市場(chǎng)重視,半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前,意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企...
2020-03-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵 2900 0
馬瑞利與Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作 將進(jìn)一步完善新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局
日前,汽車零部件供應(yīng)商MARELLI(馬瑞利)與半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域的的動(dòng)力總成逆變器開發(fā)技術(shù),...
2020-03-10 標(biāo)簽:新能源汽車氮化鎵Transphorm 1091 0
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