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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì),能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 標(biāo)簽:氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 1626 0
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷(xiāo)其最新的半...
OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無(wú)線VOOC閃充 技術(shù)亮點(diǎn)全揭曉!
2019年9月17日,OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無(wú)線VOOC閃充。據(jù)O...
耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目正式投產(chǎn) 將打造世界級(jí)氮化鎵材料公司
9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)投資建設(shè)...
聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位
氮化鎵(GaN)作為半導(dǎo)體第三代材料,近年來(lái)高頻進(jìn)入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域,源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導(dǎo)率等特性,確立了其在...
DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)寄生效應(yīng)解析
DC/DC 轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開(kāi)關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模 (DM) 和共模 (C...
2019-09-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1889 0
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固PI的優(yōu)勢(shì)地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專(zhuān)門(mén)選在了PI二季度財(cái)報(bào)當(dāng)天,足見(jiàn)該技術(shù)對(duì)PI未來(lái)的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示:“在實(shí)現(xiàn)高效率...
氮化鎵市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng) 我國(guó)多家企業(yè)積極布局
日前,華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野,引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。
用于太陽(yáng)光紫外線指數(shù)檢測(cè)領(lǐng)域的紫外線傳感器
紫外線指數(shù)是指當(dāng)太陽(yáng)在天空中的位置最高時(shí)(一般是在中午前后,即從上午十時(shí)至下午三時(shí)的時(shí)間段里),到達(dá)地球表面的太陽(yáng)光線中的紫外線輻射對(duì)人體皮膚的可能損傷...
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用
對(duì)于電容參數(shù)的描述,ASM GaN 是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)板來(lái)解決的。當(dāng)然,模型開(kāi)發(fā)出來(lái)后,需要和真正的器件進(jìn)行對(duì)比,比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)功率氮化鎵 6519 0
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面,Negative Capacitance FET ...
關(guān)于GaN和LDMOS的關(guān)系 和未來(lái)的發(fā)展
如在S波段及以上,SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇,而介于兩者之間的話,主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能,這方面做起來(lái)很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺...
關(guān)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹
司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域,...
關(guān)于國(guó)內(nèi)的氮化鎵供應(yīng)商介紹
根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023年全球預(yù)測(cè)”稱,氮化鎵器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2016年的165億美元,增長(zhǎng)至2...
Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出
納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation:Wins In Innovation”路演,該路演于2019年6月28日舉行。
2019-07-31 標(biāo)簽:氮化鎵自動(dòng)駕駛Navitas 3049 0
Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...
中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注
倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問(wèn)Alexandra Feytis說(shuō),由于中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)量,大多數(shù)其他國(guó)家比如德國(guó)與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...
總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口
近日,南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開(kāi)區(qū)”)。
9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單
美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(mén)(Northrop Grumman)簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。
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