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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2019-09-29 標(biāo)簽:氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 1626 0

Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議

Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷(xiāo)其最新的半...

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2019年9月17日,OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無(wú)線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽:適配器OPPO氮化鎵 1.0萬(wàn) 1

耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目正式投產(chǎn) 將打造世界級(jí)氮化鎵材料公司

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)投資建設(shè)...

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聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展

重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。

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新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位

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氮化鎵(GaN)作為半導(dǎo)體第三代材料,近年來(lái)高頻進(jìn)入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域,源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導(dǎo)率等特性,確立了其在...

2019-09-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ic氮化鎵 4338 0

DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)寄生效應(yīng)解析

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新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固PI的優(yōu)勢(shì)地位

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2019-09-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)功率氮化鎵 6519 0

回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹

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如在S波段及以上,SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇,而介于兩者之間的話,主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能,這方面做起來(lái)很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺...

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根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023年全球預(yù)測(cè)”稱,氮化鎵器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2016年的165億美元,增長(zhǎng)至2...

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Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出

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Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出

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總投資10億元 百識(shí)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日,南京百識(shí)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“百識(shí)”)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“浦口經(jīng)開(kāi)區(qū)”)。

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9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單

美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門(mén)(Northrop Grumman)簽訂了一份價(jià)值9.58億美元的合同。

2019-06-20 標(biāo)簽:雷達(dá)氮化鎵 3245 0

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