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標(biāo)簽 > 清洗
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金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物,這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...
隨著集成電路制造工藝不斷進步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻,酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對于去除有機殘留...
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究不同清洗方法(離心和透析)對15納米檸檬酸鈉穩(wěn)定納米顆粒表面化學(xué)和組成的影響,關(guān)于透析過程,核磁共振分析表明,經(jīng)過9個清洗周期...
三種化學(xué)溶液在InP光柵襯底清洗的應(yīng)用
我們?nèi)A林科納研究了三種化學(xué)溶液,用于在分布反饋激光器應(yīng)用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學(xué)物質(zhì)是濃縮的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液...
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù),它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光...
退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要,發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化,植入條件可以增強這些效應(yīng),令...
本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù),研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力,能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...
RCA清洗技術(shù)是用于清洗硅晶圓等的技術(shù),由于其高可靠性,30多年來一直被用于半導(dǎo)體和平板顯示器(FPD)領(lǐng)域的清洗。其基礎(chǔ)是以除去顆粒為目的的氨水-過氧...
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