半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性

本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計因子變化時的速度變化。

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體特性晶片 921 0

噴霧特性與蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-14 標(biāo)簽：特性蝕刻噴霧 618 0

TTL反相器的工作原理及傳輸特性

TTL反相器的基本電路 　　由前面的分析已知，帶電阻負(fù)載的BJT反相器 ，其動態(tài)性能不理想。在保持邏輯功能不變的前提下，可以另外增加若干元器以改善其

2009-04-07 標(biāo)簽：特性傳輸工作 1.6萬 0

單極放大器幅頻特性的測量

單極放大器幅頻特性的測量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、學(xué)習(xí)放大器幅頻特性曲線和上、下限截止頻率的測量方法。2、了解射極旁路電容，負(fù)載電容和集電極電阻C 對幅

2009-03-08 標(biāo)簽：特性 1.4萬 0

pn結(jié)的特性,PN結(jié)的擊穿特性,PN結(jié)的電容特性

PN結(jié)的擊穿特性： 當(dāng)反向電壓增大到一定值時，PN結(jié)的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加，這種現(xiàn)象稱為PN

2008-09-10 標(biāo)簽：特性pn結(jié) 1.4萬 0

半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量

半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參

2009-03-09 標(biāo)簽：特性 1.2萬 0

單級放大器放大特性研究

單級放大器放大特性研究一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、學(xué)習(xí)單級放大器靜態(tài)工作點(diǎn)及電壓放大倍數(shù)的測試方法。2、觀察偏軒電阻對放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的影響，以及對

2009-03-08 標(biāo)簽：特性 8511 0

通俗介紹如何使用python

據(jù)《福布斯》報道，每天大約會有 250 萬字節(jié)的數(shù)據(jù)被產(chǎn)生。然后，可以使用數(shù)據(jù)科學(xué)和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，以便提供分析和作出預(yù)測。盡管在大多數(shù)...

2021-03-12 標(biāo)簽：特性python數(shù)據(jù)可視化 2182 0