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標(biāo)簽 > 相變內(nèi)存
相變內(nèi)存的英文是“Phase-Change Memory”,簡稱“PCM”,是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品。
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新研究成果相變內(nèi)存 比傳統(tǒng)DRAM快1000倍
下一代內(nèi)存的讀取速度會比現(xiàn)在快多少?來自美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為,相變內(nèi)存(Phase-Change Memory,PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存...
2016-08-18 標(biāo)簽:相變內(nèi)存 1141 0
2013年存儲行業(yè)預(yù)測Top10:大數(shù)據(jù)席卷而來,下一個(gè)大事?
12月19消息,據(jù)InfoStor雜志對存儲行業(yè)專家進(jìn)行的調(diào)查,大數(shù)據(jù)席卷而來,專家對此提出了2013年存儲行業(yè)的10大預(yù)測。下一個(gè)大事是什么?
2012-12-19 標(biāo)簽:云計(jì)算云存儲大數(shù)據(jù) 1829 0
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