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標(biāo)簽 > 相變存儲器
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。
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Watch this video demonstration to see how Phase Change Memory features of bi...
Numonyx Phase Change Memory (PCM) guru, Jamshid, explains PCM and how it is ...
DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:相變存儲器DRAMNand flash 3462 0
Numonyx相變存儲器(PCM)的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器,以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
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