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硅基

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硅基智能成立于2017年8月,總部位于中國南京,是一家以服務(wù)智能化和知識智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。

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硅基動態(tài)

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硅基簡介

  硅基智能成立于2017年8月,總部位于中國南京,是一家以服務(wù)智能化和知識智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。

  硅基智能以自研DUIX操作系統(tǒng)為核心,通過打造開放開源,集體進(jìn)步,任勞任怨的硅基勞動力,為客戶提供近乎無限供給的數(shù)字員工,大幅度降低組織成本,快速提升組織效率,讓客戶在數(shù)字化轉(zhuǎn)型中擁有以算力為核心的創(chuàng)新競爭力。

  公司目前擁有30多項授權(quán)專利,業(yè)務(wù)覆蓋約10個行業(yè)和近4萬家企業(yè),其中包括工商銀行、中國銀行、招商銀行、浦發(fā)銀行、興業(yè)銀行、中信銀行、南京銀行等眾多大型金融機(jī)構(gòu)。

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硅基技術(shù)

了解半導(dǎo)體材料:硅

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硅作為一種半導(dǎo)體的使用材料徹底改變了電子工業(yè),開啟了數(shù)字時代。然而,許多人仍對這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅,它是什么,怎...

2023-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料硅基 2553 0

為什么硅基MEMS激光雷達(dá)無法用作汽車主雷達(dá)

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雖然硅基MEMS微振鏡區(qū)別于傳統(tǒng)的金屬機(jī)械結(jié)構(gòu)部件(電機(jī)、轉(zhuǎn)子等),避免了機(jī)械式激光雷達(dá)因內(nèi)部旋轉(zhuǎn)的整體模塊體積和重量都較大引起受沖擊時慣量太大而容易致...

2023-10-08 標(biāo)簽:mems激光雷達(dá)硅基 1689 0

硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢分析

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GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵(GaN-on-Si)目前不會威脅到碳化硅基氮化...

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硅基MCT紅外探測器的鈍化初步研究

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2023-09-12 標(biāo)簽:芯片探測器硅基 947 0

基于SPAD的近紅外高分辨率dTOF探測器工藝設(shè)計

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基于單光子雪崩二極管(SPAD)的光子直接飛行時間(dTOF)探測器通過測量發(fā)射光與反射光之間的時間間隔來計算所探測的距離,具有體積小、功耗低和分辨率高...

2023-08-23 標(biāo)簽:集成電路紅外線探測器 2774 0

基于傳統(tǒng)硅基IGBT的電機(jī)控制器

一、前言 對新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的效率、...

2023-06-29 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器硅基 826 0

硅基外延量子點激光器及摻雜調(diào)控方面取得重要研究進(jìn)展

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? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ),將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上,極大提升芯片的信息傳輸和處理能力,可廣泛應(yīng)...

2023-06-26 標(biāo)簽:芯片激光器硅基 567 0

硅基氮化鎵工藝流程

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硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極...

2023-02-11 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵硅基 1.0萬 1

硅基氮化鎵是做什么用?

在過去幾年中,氮化鎵(GaN)在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力,適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙(WBG)...

2023-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 762 0

光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

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應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標(biāo)簽:納米材料納米襯底 1223 0

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硅基資訊

Sang-Young Lee院士Nat. Commun.:硅負(fù)極失效與隔膜有關(guān)

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? 研究背景 硅負(fù)極理論比容量高達(dá)3592 mAh g-1,優(yōu)于目前流行的石墨負(fù)極材料,有望在電池能量密度、電動汽車的續(xù)航里程和效率以及便攜式電子設(shè)備的...

2024-12-17 標(biāo)簽:硅基電池 154 0

華天科技硅基扇出封裝

來源:華天科技 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域, 扇出(Fan-Out)技術(shù) 正以其獨特的優(yōu)勢引領(lǐng)著新一輪的技術(shù)革新。它通過將芯片連接到更寬廣的基板上,實現(xiàn)了更高的I...

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中國科大實現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維硅基量子點陣列

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人工智能架構(gòu)將推動未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)

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直到最近,電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動的。為了實現(xiàn)這些改進(jìn),新型晶體管的工程目標(biāo)很明確:提高額定電...

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萊特光電2024年Q1業(yè)績大幅提升,揭示OLED下游市場需求持續(xù)增長

萊特光電表示,報告期間,OLED下游市場需求旺盛,帶動了公司OLED終端材料銷售額的大幅上漲;同時,新產(chǎn)品規(guī)模效益顯現(xiàn),加上公司實施的降本增效策略,使得...

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天宜微電子獲數(shù)千萬元融資,杭金投基金參投

天宜微電子(杭州)有限公司成立于2023年7月,主要從事硅基微顯示驅(qū)動芯片的研發(fā)與生產(chǎn),主攻方向涵蓋Micro OLED和Micro LED兩大領(lǐng)域,已...

2024-04-02 標(biāo)簽:OLED驅(qū)動芯片硅基 372 0

蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項目設(shè)備搬運啟動

蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項目是中電二公司在華東地區(qū)的又一重要舉措,其規(guī)模恢弘,一期規(guī)劃面積達(dá)到了驚人的60,900平方米,其中僅潔凈區(qū)就占了4,700平...

2024-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅基 1406 0

硅基流動完成5000萬元天使輪融資,袁進(jìn)輝創(chuàng)辦AI Infra

根據(jù)硅基流動透露,該公司籌建于2023年8月,以構(gòu)建“大模型時代AI基礎(chǔ)設(shè)施”為使命,努力降低大模型使用費用與開發(fā)難度。袁進(jìn)輝,這位一流科技創(chuàng)始人、光年...

2024-01-11 標(biāo)簽:AI硅基大模型 982 0

芯視佳K2工廠項目封頂,預(yù)計2025年量產(chǎn)

據(jù)芯視佳半導(dǎo)體顯示科技有限公司披露,其12英寸硅基OLED項目總投資達(dá)15億元,總面積為9.4萬平米,涵蓋了制程車間、研究中心、綜合大樓、動力供應(yīng)設(shè)施等...

2023-12-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體OLED硅基 734 0

碳化硅(SiC)技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力

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2023-12-13 標(biāo)簽:IGBT硅基伺服器 979 0

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    智慧城市就是運用信息和通信技術(shù)手段感測、分析、整合城市運行核心系統(tǒng)的各項關(guān)鍵信息,從而對包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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    pt100是鉑熱電阻,它的阻值會隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時阻值為100歐姆,在100℃時它的阻值約為138.5歐姆。
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    MAX31855
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    MAX31855冷端補(bǔ)償熱電偶至數(shù)字輸出轉(zhuǎn)換器,高精度熱電偶數(shù)字轉(zhuǎn)換器IC,有效簡化設(shè)計并降低系統(tǒng)成本。
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    鈉離子電池
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    鈉離子電池是一種二次電池(充電電池),主要依靠鈉離子在正極和負(fù)極之間移動來工作,與鋰離子電池工作原理相似。鈉離子電池使用的電極材料主要是鈉鹽,相較于鋰鹽而言儲量更豐富,價格更低廉。由于鈉離子比鋰離子更大,所以當(dāng)對重量和能量密度要求不高時,鈉離子電池是一種劃算的替代品。
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      滑動變阻器是電路元件,它可以通過來改變自身的電阻,從而起到控制電路的作用。
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