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硅芯片技術(shù)

單片集成電路有哪些組成

單片集成電路（Monolithic Integrated Circuit，簡稱MIC）是一種將多個電子元件集成在單一硅芯片上的技術(shù)。這種技術(shù)極大地減小了...

2024-09-20 標(biāo)簽：電子元件單片集成電路硅芯片 513 0

集成放大電路的連接常采用什么方式

1. 集成放大電路的基本概念集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實現(xiàn)的放大器，它將傳統(tǒng)的分立元件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一個小型的硅芯片上。這種...

2024-08-01 標(biāo)簽：集成電路晶體管集成放大電路 524 0

專用集成電路設(shè)計流程包括專用集成電路的特點包括

專用集成電路（ASIC）設(shè)計流程是指將特定應(yīng)用需求轉(zhuǎn)化為硅芯片的過程。下面將詳細(xì)介紹ASIC設(shè)計流程，并進一步探討ASIC的特點。一、ASIC設(shè)計流程...

2024-05-04 標(biāo)簽：邏輯電路 ASIC設(shè)計硅芯片 635 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和...

2024-01-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵硅芯片 2107 0

關(guān)于DRAM市場趨勢的“虛假謊言

在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗Ｕ缟洗翁岬降模舛诉壿婱OS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配，可以說晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲器 486 0

低成本的溶膠-凝膠法制備高性能Ca-IZO薄膜的新方法

目前，基于薄膜晶體管（TFT）的固態(tài)電路廣泛應(yīng)用于顯示器、大型傳感器和電子皮膚等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域難以通過傳統(tǒng)的基于硅的芯片實現(xiàn)。

2023-11-06 標(biāo)簽：傳感器 TFT 薄膜晶體管 704 0

一文解析微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)

如何對系統(tǒng)和組件進行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，因為微系統(tǒng)的封裝技術(shù)遠(yuǎn)沒有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個主要的任務(wù)：裝配、封裝...

2023-11-06 標(biāo)簽：mems 壓力傳感器微電子封裝 1034 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 單晶硅 1291 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。

2023-09-28 標(biāo)簽：電機驅(qū)動晶體管 GaN 2070 0

淺析先進封裝的四大核心技術(shù)

先進封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點。先進封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術(shù)的...

2023-09-28 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計 SiP技術(shù) 3390 0

Sandia Labs發(fā)明一種硅上集成微光學(xué)器件的方法

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，位于美國新墨西哥州阿爾伯克基的桑迪亞國家實驗室（Sandia Labs）的科學(xué)家開發(fā)出一種新型硅上集成微型激光器，并可以與其它微...

2023-08-14 標(biāo)簽：放大器激光器光隔離器 755 0

砷化鎵（GaAs）芯片和硅（Si）芯片的區(qū)別

砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使...

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路光電器件砷化鎵 7909 0

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重?fù)诫s。

2023-06-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 驅(qū)動器 790 0

IGBT模塊壽命評估實驗依據(jù)

隨著高速動車組列車、電動汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展

2023-06-08 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT DBC 1766 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測純度？

晶圓，是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓硅芯片 1374 0

系統(tǒng)級封裝（SIP）簡介

系統(tǒng)級封裝 (SiP) 是一種用于將多個集成電路 (IC) 和無源元件捆綁到一個封裝中的方法，它們在該封裝下協(xié)同工作。這與片上系統(tǒng) (SoC) 形成對比...

2023-05-19 標(biāo)簽：CMOS 封裝 soc 4421 0

氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，　氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微...

2023-02-06 標(biāo)簽：led 發(fā)光二極管氮化鎵 5582 0

分享一種艾邁斯歐司朗濾光片解決方案

在摩爾定律持續(xù)放緩、新型計算平臺卻要求更高性能的大背景下，電子IC發(fā)展進入瓶頸期，光子IC (PIC)逐漸興起。

2022-11-08 標(biāo)簽：濾光片 OSRAM 硅芯片 890 0

固態(tài)電氣架構(gòu)的整體優(yōu)勢

　固態(tài)架構(gòu)創(chuàng)新的數(shù)字化特性為擴展功能、增加價值以及集成和擴展現(xiàn)有智能建筑系統(tǒng)創(chuàng)造了可能性，例如住宅和商業(yè)安全、商業(yè)消防、門禁和樓宇自動化。

2021-06-28 標(biāo)簽：M2M 硅芯片嵌入式算法 2022 0

精準(zhǔn)的硅芯片溫度檢測——顯示測量精度為±0.1°C

熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發(fā)現(xiàn)的那樣，它們基于兩個結(jié)點之間產(chǎn)生的電壓，每個結(jié)點都由不同...

2020-12-21 標(biāo)簽：熱電偶溫度傳感器硅芯片 2433 0

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