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標(biāo)簽 > 硅襯底
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用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本,以...
2024-12-26 標(biāo)簽:碳化硅硅襯底半導(dǎo)體晶圓 126 0
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化...
本實(shí)驗(yàn)通過這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...
我們?nèi)A林科納在這項(xiàng)工作中,研究了Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響,在不同的溫度和不同的電鍍持續(xù)時(shí)間下測試兩種不同的化學(xué)浴組合物,兩者都...
聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面...
在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...
2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片有機(jī)半導(dǎo)體 2506 0
國產(chǎn)襯底片的發(fā)展在雙極型集成電路制造中的應(yīng)用詳細(xì)資料概述
隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升,國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估,包括物理參數(shù)、電...
硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底,芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣?
芯片是五面發(fā)光的,通常需要將將芯片置于支架內(nèi),反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積,導(dǎo)致單位面積光通量低,芯片表面顏色均勻性非常差,芯片正上方偏藍(lán),而外圈...
2016-11-05 標(biāo)簽:芯片硅襯底藍(lán)寶石襯底 6547 0
號稱低成本、無損去除,硅襯底Micro LED真是小尺寸顯示的未來?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)由于蘋果Micro LED智能手表項(xiàng)目擱淺,之前Micro LED遭遇了很大的質(zhì)疑,尤其是在成本和性價(jià)比方面,Micro ...
晶能光電創(chuàng)新能力獲權(quán)威認(rèn)可通過國家企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定
? ? 近日,國家發(fā)改委、科技部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局五部委聯(lián)合發(fā)文,公布第29批新認(rèn)定及全部國家企業(yè)技術(shù)中心名單,晶能光電被認(rèn)定為國家企業(yè)技術(shù)中...
國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲,對于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里,海內(nèi)外都持...
近日,晶能光電(江西)有限公司實(shí)驗(yàn)室順利通過了中國合格評定國家認(rèn)可委員會(CNAS)認(rèn)可審核,獲得了CNAS實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書(注冊號:CNASL17585...
晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化
Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù),但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝,邁入類IC制程。...
HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用
在本文中講述了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓,還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。
LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料,其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、...
我國研究人員解決了聲表面波器件在高頻段工作時(shí)具有較高的輸出功率的問題
半導(dǎo)體所張金英副研究員與國防科技大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在硅襯底上生長了金剛石膜和氮化鋁薄膜,成功制備了一種嵌入式電極結(jié)構(gòu)的聲表面波器件。研究發(fā)現(xiàn),該器件可高效激...
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