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硅襯底

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硅襯底技術(shù)

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

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一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而,濕法...

2024-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅硅襯底 100 0

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

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一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本,以...

2024-12-26 標(biāo)簽:碳化硅硅襯底半導(dǎo)體晶圓 126 0

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

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一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割...

2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 165 0

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化...

2023-10-13 標(biāo)簽:GaN硅襯底晶能光電 718 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

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本實(shí)驗(yàn)通過這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標(biāo)簽:晶片硅片鍵合 1298 0

Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響

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我們?nèi)A林科納在這項(xiàng)工作中,研究了Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響,在不同的溫度和不同的電鍍持續(xù)時(shí)間下測試兩種不同的化學(xué)浴組合物,兩者都...

2022-05-07 標(biāo)簽:晶體電鍍硅襯底 729 0

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

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引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面...

2021-12-27 標(biāo)簽:聚合物晶片光子器件 1568 0

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

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在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...

2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片有機(jī)半導(dǎo)體 2506 0

國產(chǎn)襯底片的發(fā)展在雙極型集成電路制造中的應(yīng)用詳細(xì)資料概述

隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升,國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估,包括物理參數(shù)、電...

2018-04-22 標(biāo)簽:硅襯底集成電路制造 1.1萬 0

硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底,芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣?

芯片是五面發(fā)光的,通常需要將將芯片置于支架內(nèi),反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積,導(dǎo)致單位面積光通量低,芯片表面顏色均勻性非常差,芯片正上方偏藍(lán),而外圈...

2016-11-05 標(biāo)簽:芯片硅襯底藍(lán)寶石襯底 6547 0

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硅襯底資訊

號稱低成本、無損去除,硅襯底Micro LED真是小尺寸顯示的未來?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)由于蘋果Micro LED智能手表項(xiàng)目擱淺,之前Micro LED遭遇了很大的質(zhì)疑,尤其是在成本和性價(jià)比方面,Micro ...

2024-04-03 標(biāo)簽:硅襯底Micro LED 3563 0

晶能光電創(chuàng)新能力獲權(quán)威認(rèn)可通過國家企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定

? ? 近日,國家發(fā)改委、科技部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局五部委聯(lián)合發(fā)文,公布第29批新認(rèn)定及全部國家企業(yè)技術(shù)中心名單,晶能光電被認(rèn)定為國家企業(yè)技術(shù)中...

2023-02-27 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管GaN 394 0

國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲,對于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里,海內(nèi)外都持...

2023-02-20 標(biāo)簽:供應(yīng)商產(chǎn)能硅襯底 4.3萬 0

晶能光電實(shí)驗(yàn)室獲CNAS認(rèn)可

近日,晶能光電(江西)有限公司實(shí)驗(yàn)室順利通過了中國合格評定國家認(rèn)可委員會(CNAS)認(rèn)可審核,獲得了CNAS實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書(注冊號:CNASL17585...

2023-01-12 標(biāo)簽:led硅襯底CNAS 453 0

晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化

Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù),但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝,邁入類IC制程。...

2022-08-17 標(biāo)簽:ledGaN硅襯底 1347 0

HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用

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在本文中講述了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓,還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。

2022-05-09 標(biāo)簽:封裝技術(shù)蝕刻硅襯底 672 0

硅襯底LED未來有望引領(lǐng)市場發(fā)展

LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料,其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、...

2019-07-30 標(biāo)簽:led硅襯底 3950 0

我國研究人員解決了聲表面波器件在高頻段工作時(shí)具有較高的輸出功率的問題

我國研究人員解決了聲表面波器件在高頻段工作時(shí)具有較高的輸出功率的問題

半導(dǎo)體所張金英副研究員與國防科技大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在硅襯底上生長了金剛石膜和氮化鋁薄膜,成功制備了一種嵌入式電極結(jié)構(gòu)的聲表面波器件。研究發(fā)現(xiàn),該器件可高效激...

2018-01-18 標(biāo)簽:硅襯底聲表面波器件 5771 0

硅襯底LED芯片主要制造工藝

硅襯底LED芯片主要制造工藝

本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝,介紹了什么是led襯底,led襯底材料等方面的制作工藝知識

2011-11-03 標(biāo)簽:LED制造工藝硅襯底 4984 0

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硅襯底數(shù)據(jù)手冊

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    公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出,以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū),深受用戶喜愛。
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    北京時(shí)間2015年9月10日,美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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