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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通...
12月28日,阿里巴巴達摩院發布2021十大科技趨勢,為后疫情時代基礎技術及科技產業將如何發展提供了全新預測。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體迎...
碳化硅(SiC)在設計大功率電子器件方面優于傳統硅,開發者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認識,這種高性能化合物半導體的被廣泛采用,但在應用中如...
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
碳化硅mosfet有哪些主要參數 碳化硅MOSFET相關的主要參數包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MO...
特斯拉碳化硅技術怎么樣?特斯拉碳化硅技術成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點,碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電,增加續航;這...
碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結構單元Si...
對于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)目前碳化硅在電動汽車上的應用如火如荼,今年以來,可以看到包括蔚來ET7、比亞迪E3.0平臺、小鵬G9等都已經采用碳化硅器件...
目前全球 95% 以上的半導體元件,都是以第一代半導體材料硅作為基礎功能材料,主要應用在資訊與微電子產業,不過,隨著電動車、5G 等新應用興起,推升高頻...
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復特性,因而非常適合于在任何采用標準柵極驅...
同時,結合浸淫多年的多管并聯技術,特斯拉可以在其電動汽車驅動系統中,按照不同的功率等級選擇不同數量的TPAK并聯,并根據不同的效率和成本要求選擇碳化硅M...
低耗能、高效率與小型化,已經成為電子產品發展的三大主流趨勢。只不過,這三大課題偏偏卻正是最令研發人員頭疼的問題。
近日,東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態園2022年度土地征收成片開發方案》,內容顯示擬征地6.316公頃,將被用于保障天域半導體科技有限公司所建設的半...
該工作中,研究者們選取了3C相(立方相)碳化硅中廣泛存在的層錯結構作為研究對象。通過旋轉樣品,電子顯微鏡可以從側面觀測碳化硅的層錯缺陷,從而在空間上區分...
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