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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導體材料,在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬...
深圳基本半導體與廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱廣電計量)在廣州舉行戰略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導體功率器件開展上下游全產業鏈的深度合作,...
天域半導體IPO:國內碳化硅外延片行業第一,2024年上半年陷入增收不增利困局
電子發燒友網報道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月,天域半導體向深交所提交上市申請,但在2024年8...
你可能不知道,采用碳化硅取代傳統的硅半導體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗,碳化硅半導體已成為國際上公認的將引領電力電子,特別是大功率電力電子下...
摘 要 基于進一步提升電驅動總成系統效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統,介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了...
碳化硅功率器件在新能源汽車、光伏發電、軌道交通以及智能電網的應用
軌道交通車輛表現出多樣化的發展態勢,在運營狀態方面可以劃分為干線機車、城市軌道車輛、高速列車等類型,而城市軌道車輛與高速列車構成了未來軌道交通發展的重要推動力。
IEGT是耐壓達4kV以上的IGBT系列電力電子器件,通過采取增強注入的結構實現了低通態電壓,使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發展。
為應對氣候變化,我國提出,二氧化碳排放力爭于2030年前達到峰值,努力爭取2060年前實現“碳中和”。
PI推出業界首款采用SiC MOSFET的汽車級開關電源IC
Power Integrations今日發布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC...
在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。 碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...
大眾汽車集團運營與策略半導體工作小組 COMPASS 的負責人 Karsten Schnake 表示,安森美主驅逆變器模組的杰出性能和品質,加上共同努力...
基本半導體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6
汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產品。
據江蘇超芯星半導體有限公司官網介紹,超芯星半導體于2019年4月落戶江蘇儀征經濟開發區,是國內領先的第三代半導體企業,致力于6英寸碳化硅襯底的研發與產業化。
2021年是Microchip高產的一年,發布了大量全新產品。僅在中國區發布新聞稿的就達40款。小編來做一個盤點。昨天我們已介紹了其中的20款,今天將繼...
納微半導體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進,抓住繼充電器之后的下一波熱點應用
早前,納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品,踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發的節奏,成為氮化鎵領域的頭部企業。同時,納微也不斷開發氮化鎵和碳化硅產...
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