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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅纖維的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與性能、用途
碳化硅長(zhǎng)絲的制造過(guò)程是將聚硅烷在400℃以上,發(fā)生熱轉(zhuǎn)位反應(yīng),使側(cè)鏈上的甲基以亞甲基的形式,導(dǎo)入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過(guò)干法紡絲或熔體紡絲...
硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料,有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn),能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料,晶圓可以做得很大,晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件...
基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的生產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。然而,...
半導(dǎo)體設(shè)備廠商邑文科技開(kāi)啟上市輔導(dǎo)
近日,證監(jiān)會(huì)公開(kāi)披露了無(wú)錫邑文微電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“邑文科技”)的首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。海通證券已經(jīng)與邑文科技簽訂了相關(guān)的上市輔導(dǎo)...
江蘇丹陽(yáng)延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作
在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬(wàn)片六至...
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
瑞能半導(dǎo)體如何才能在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中突圍
2015年,瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨(dú)立出來(lái),如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商,特別是碳化硅市場(chǎng)份額在國(guó)際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展,瑞能半導(dǎo)體...
2021-08-20 標(biāo)簽:恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2071 0
威邁斯IPO上市觀察 深度研發(fā)賦能 成功解決行業(yè)難點(diǎn)
在車載電源和電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之一。不過(guò),碳化硅功率器件在實(shí)際應(yīng)用中面臨著驅(qū)動(dòng)控制敏感、...
2023-03-01 標(biāo)簽:ipo功率器件驅(qū)動(dòng)控制 2069 0
國(guó)內(nèi)的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項(xiàng)目,技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括來(lái)自西安電子科技大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...
SiCMOSFET支持高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì),用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體,推出了兩款新的碳化...
2019-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 2051 0
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù),以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...
2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2040 0
有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)
以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
正力新能新一代BEV專用電芯產(chǎn)品助力零跑C16純電版首發(fā)
6月28日,零跑汽車首款中大型智能六座SUV、LEAP 3.0技術(shù)架構(gòu)的旗艦之作——零跑C16重磅上市,新車實(shí)現(xiàn)了對(duì)六座SUV的兩個(gè)重新定義——MPV的...
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)
在過(guò)去的幾十年中,半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來(lái)改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以滿足開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器(開(kāi)關(guān)電源)設(shè)計(jì)...
2020-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電源碳化硅 2018 0
CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時(shí),蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
2016-04-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器CISSOID功率模塊 2008 0
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
由SiC 粉經(jīng)過(guò)長(zhǎng)晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)最終形成襯底。其中SiC晶體的生長(zhǎng)為核心工藝,核心難點(diǎn)在提升良率。類型可分為導(dǎo)電型、和半絕緣型襯底...
2023-09-26 標(biāo)簽:SiC產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 1993 0
第三代化合物半導(dǎo)體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大,它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉(zhuǎn)換...
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