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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

意法半導體推出第三代碳化硅產品，推動電動汽車和工業應用未來發展

作為 SiC 功率 MOSFET市場的領導者，意法半導體整合先進的設計技術，進一步挖掘 SiC的節能潛力，繼續推動電動汽車和工業市場變革。

2021-12-10 標簽：電動汽車 MOSFET 意法半導體 1647 0

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源（每相1個），可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。

2020-03-05 標簽：電動汽車 MOSFET CISSOID 1646 0

英飛凌推出適用于電動汽車牽引逆變器的汽車級碳化硅功率模塊

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2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分，據悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復管提...

2021-04-01 標簽：封裝 SiC 碳化硅 1644 1

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說，可以最大限度地提高系統的可靠...

2020-11-02 標簽：microchip 碳化硅肖特基勢壘二極管 1643 0

高壓快充充電樁產業碳化硅材料模塊或成必由之路

為適應未來大功率高壓快充發展趨勢，主流車企及充電運營商已經開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求，在設備方面亟需采用...

2024-01-17 標簽：SiC 充電樁碳化硅 1641 0

碳化硅如何實現更高效的分布式太陽能發電

該報告還強調了分布式光伏發電系統的重要性，因為消費者、商業建筑和工業設施開始自行發電。它預測，到 2024 年，分布式光伏總發電量將翻一番以上，超過 5...

2022-08-05 標簽：太陽能半導體碳化硅 1640 0

碳化硅賽道熱度依舊，初創與頭部企業仍在享受資本紅利

電子發燒友網報道（文/周凱揚）此前特斯拉在投資者日宣布減少碳化硅用量的新聞，不可避免地對整個碳化硅市場造成了影響。特斯拉首先肯定了碳化硅這一第三代半導體...

2023-03-22 標簽：碳化硅 1639 0

2024年中國碳化硅晶圓全球占比將達到50%

天岳先進、天科合達、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產能。目前，這些中國企業的總產能約為每月6萬片。隨著各公司產能的逐步釋放，預計到2024年，...

2023-11-20 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1631 0

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。

2020-07-14 標簽：英飛凌柵極電阻碳化硅 1624 0

Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT，現已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍

2021-07-28 標簽：開關電源 microchip IGBT 1622 0

車規級SiC供應商桑德斯與世強硬創平臺達成協議

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創平臺達成協議，授權世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產品代理。

2022-02-24 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1617 0

碳化硅MOSFET驅動的干擾及延遲

硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短...

2023-02-03 標簽：MOSFET 電壓 IGBT 1613 0

氮化鎵+碳化硅的未來：納微發布7大全球行業應用展望，全面加速Electrify Our World?

GaN+SiC=每年200億美元的市場規模？是的！眾所周知，第三代半導體（以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主），憑借在電子遷移率、功率密度、熱穩定性 ...

2023-05-12 標簽：碳化硅 1610 0

碳化硅器件在新能源車電驅動系統的應用

隨著全球及國內在新能源汽車、新能源發電和儲能等終端市場需求的快速增長，行業對碳化硅襯底需求呈現出持續旺盛的趨勢。

2023-12-14 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 1605 0

三安半導體首發8英寸碳化硅襯底，國內8英寸加速布局！

從產能來看，湖南三安現有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/...

2023-09-14 標簽：SiC 氮化鎵碳化硅 1601 0

一種新型復合SiC-金剛石襯底與GaN器件結合的新工藝流程和制備方案

金剛石材料具有自然界物質中最高的熱導率（高達2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領域的散熱均有重要的應用潛力。

2024-01-04 標簽：激光器 SiC GaN 1594 0

?碳化硅器件如何助力新能源汽車800V快速發展

新能源汽車800V時代的超強風口到來碳化硅器件市場需求上量“雙碳”成為各個國家的主要發展戰略，新能源汽車的節能減排成為落實“雙碳”的主要抓手之一，因此...

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新一代功率半導體：多個領域節能關鍵

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2014-02-04 標簽：晶體管功率半導體碳化硅 1590 0

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