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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅賽道“涌動(dòng)” ,國內(nèi)外巨頭抓緊布局

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從碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測(cè)試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。

2023-12-04 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 1094 0

用于高性能功率器件的SiC隔離解決方案

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系統(tǒng)制造商對(duì)提高其設(shè)計(jì)的電源效率越來越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合對(duì)于市場領(lǐng)導(dǎo)地位變得至關(guān)重要。從半導(dǎo)體材料的角度來看,這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)...

2022-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1094 0

英飛凌簽約GT Advanced Technologies,擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)

英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。

2020-11-13 標(biāo)簽:英飛凌光伏逆變器碳化硅 1093 0

碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體

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不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...

2022-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1092 0

三安集成:碳化硅功率器件量產(chǎn)制造平臺(tái),助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展

三安集成副總經(jīng)理?xiàng)罱 ⒔瘕埿履茉纯偨?jīng)理陳曉冰博士分別代表雙方簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

2020-09-29 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅 1092 0

熾芯微電開業(yè)!專注于碳化硅塑封功率模塊封測(cè)研發(fā)

1月19日,熾芯微電子科技(蘇州)有限公司(以下簡稱“熾芯微電”)在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開業(yè)。

2024-01-24 標(biāo)簽:IGBTSiC功率模塊 1092 0

國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場應(yīng)用新篇章

在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。近期,國內(nèi)兩家...

2024-07-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅芯塔電子 1088 0

碳化硅快速測(cè)試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會(huì),帶您詳細(xì)了解這個(gè)高效的平臺(tái)

以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前晶體生產(chǎn)技...

2023-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1086 0

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...

2022-01-06 標(biāo)簽:碳化硅 1085 0

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1084 0

筑波網(wǎng)絡(luò)科技 泰瑞達(dá)Teradyne合作深圳卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開幕

筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達(dá)Teradyne合作,于12月15日舉辦深圳辦公室卓越半導(dǎo)體工程(EC)中心開幕茶會(huì),將以Eagle Test System (...

2022-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅泰瑞達(dá) 1083 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

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電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵...

2023-04-19 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1083 0

SiC企業(yè)志橙股份擬在深交所創(chuàng)業(yè)板上市

深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司(簡稱“志橙股份”)近日更新了其招股書及多輪問詢回復(fù)內(nèi)容,計(jì)劃在深圳證券交易所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。

2024-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1083 0

汽車領(lǐng)域?qū)⑹俏磥硖蓟枳畲蟮膽?yīng)用市場

SiC功率器件下游應(yīng)用廣泛,市場快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉(zhuǎn)換效率,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、家電等領(lǐng)域 均有廣...

2022-09-19 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1075 0

森國科碳化硅MOSFET-KM040120R的優(yōu)勢(shì)

2022世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京盛大開幕!本屆大會(huì)廣泛邀請(qǐng)了國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)以及產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、科研、投資界代表出席,共同探討新環(huán)境、...

2022-08-24 標(biāo)簽:集成電路功率器件碳化硅 1074 0

實(shí)現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程擴(kuò)展

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更復(fù)雜的是,更大的電動(dòng)汽車電池尺寸可以延長電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并消除消費(fèi)者的續(xù)航焦慮,同時(shí)可能會(huì)提高電動(dòng)汽車的價(jià)格——電池占最終車輛成本的 25% 以上。

2022-08-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器碳化硅 1072 0

瀚天天成上交所科創(chuàng)板IPO已問詢

瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡稱“瀚天天成”)近日在上交所科創(chuàng)板的上市申請(qǐng)已進(jìn)入“已問詢”階段。瀚天天成專注于碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和...

2024-01-26 標(biāo)簽:碳化硅科創(chuàng)板瀚天天成 1070 0

三安半導(dǎo)體亮相第38屆日本國際電子展

近日,第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024在東京有明國際展覽中心盛大舉行。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,三安半導(dǎo)體受邀參加此次盛會(huì),并...

2024-02-03 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體碳化硅 1070 0

模塊化碳化硅(SiC)器件評(píng)估的深入分析

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碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局,帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是,汽車應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...

2024-05-06 標(biāo)簽:SiC模塊化碳化硅 1070 0

布局全球,碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案商派恩杰半導(dǎo)體再獲數(shù)千萬Pre-A輪融資

派恩杰官方消息稱,繼創(chuàng)東方投資、天際資本后再獲湖杉資本數(shù)千萬Pre-A輪融資,本次融資資金將用于更高電壓平臺(tái)功率器件產(chǎn)品的研發(fā)和全球市場的布局。

2021-09-13 標(biāo)簽:晶閘管功率器件碳化硅 1069 0

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