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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅功率模塊：未來(lái)電力電子行業(yè)的變革者

功率模塊有好幾種類型，常見(jiàn)的比如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和碳化硅（SiC）功率模塊。IGBT適合于高電...

2024-03-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率模塊碳化硅 868 0

共同打造碳化硅在新能源汽車(chē)的應(yīng)用！

SiC是由碳元素和硅元素組成的一種化合物。這種半導(dǎo)體材料的性能大大優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料：禁帶寬度是其3倍，導(dǎo)熱率達(dá)到4到5倍，擊穿電壓是8到10倍，電子飽和漂...

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)SiC 碳化硅 868 0

碳化硅合作進(jìn)展:國(guó)產(chǎn)SiC模塊量產(chǎn)、超充技術(shù)應(yīng)用及設(shè)備采購(gòu)動(dòng)態(tài)

近期，碳化硅（SiC）領(lǐng)域迎來(lái)了多項(xiàng)合作突破，涉及國(guó)產(chǎn)SiC半橋模塊的量產(chǎn)上車(chē)、超充技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用，以及激光切割技術(shù)和相關(guān)設(shè)備的采購(gòu)等。以下是具體詳情：...

2024-11-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅激光切割 867 0

Wolfspeed 8英寸向中國(guó)客戶批量出貨碳化硅MOSFET

當(dāng)前SiC的火熱浪潮主要由逆變器以及電動(dòng)汽車(chē)中的車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)市場(chǎng)，到2022年將占功率SiC市場(chǎng)份額的 70%，到2028年這...

2023-09-04 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 866 0

Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

Qorvo今天宣布，已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。

2021-11-04 標(biāo)簽：電動(dòng)車(chē)充電器功率半導(dǎo)體碳化硅 866 0

磨不破，切不斷：碳化硅在切削領(lǐng)域的神奇應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種硬度極高、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)的非金屬材料，由碳和硅兩種元素組成。它最早在1893年由瑞典化學(xué)家亨利克·莫松通過(guò)電爐加熱碳化硅粉末發(fā)現(xiàn)。碳...

2023-10-31 標(biāo)簽：材料貼片機(jī)回流焊 866 0

領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片是什么？

功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新，致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率（理想轉(zhuǎn)換率為100%）。基于SiC材料的功率器件比傳統(tǒng)的Si基功率器件具有更高的效率和更低的損耗。廣...

2023-09-21 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 866 0

薩科微slkor 國(guó)際化之初體驗(yàn)(上)

?大家好，我叫宋仕強(qiáng)，是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來(lái)發(fā)展迅速，產(chǎn)品研發(fā)方面大投入，高端產(chǎn)品IGBT、電...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管二極管穩(wěn)壓二極管 863 0

碳化硅與氮化鎵的未來(lái)將怎樣共存

在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代，半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無(wú)疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)...

2024-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 863 0

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來(lái)哪些創(chuàng)新設(shè)計(jì)

我們常說(shuō)，一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)。那么，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn)，將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 860 0

基本半導(dǎo)體亮相PCIM Asia，共創(chuàng)“芯”未來(lái)

6月26日至28日，備受矚目的PCIM Asia 2019（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)）在上海世博展覽館舉行，吸引了超過(guò)80家中外知名企業(yè)參...

2019-06-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅基本半導(dǎo)體 859 0

英飛凌62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎(jiǎng)

11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)，...

2023-12-21 標(biāo)簽：英飛凌模塊碳化硅 858 0

碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析

第二點(diǎn)是，得到的測(cè)試結(jié)果是否滿足需求，或者說(shuō)“測(cè)得對(duì)不對(duì)”，還沒(méi)有判定標(biāo)準(zhǔn)。這主要源自大部分工程師對(duì)碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性還不夠了解，不具備解讀測(cè)試結(jié)果的能力。

2022-12-21 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 858 0

天津大學(xué)納米中心石墨烯研究取得新進(jìn)展

特異的二維材料石墨烯，由于其狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為零帶隙特性，至今仍是諸多科學(xué)家們面對(duì)的挑戰(zhàn)。然而，馬雷教授領(lǐng)軍的科研團(tuán)隊(duì)，在對(duì)外延石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行精...

2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體石墨烯碳化硅 858 0

碳化硅(SiC)廠商瞻芯電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證

近日，浙江瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“浙江瞻芯“）通過(guò)了環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證，分別獲得ISO 14001與ISO 45001證書(shū)。浙江瞻芯作為...

2023-12-25 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 858 0

天岳先進(jìn)：在8英寸碳化硅襯底上已具備量產(chǎn)能力

　在底面價(jià)格方面，天岳先進(jìn)表示，從中短期來(lái)看，市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，底面有效供應(yīng)不足，價(jià)格部分仍處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)。據(jù)yole報(bào)告，從長(zhǎng)期來(lái)看，基板價(jià)格會(huì)有所下...

2023-11-14 標(biāo)簽：基板數(shù)字化碳化硅 857 0

芯聯(lián)集成獲調(diào)研，披露業(yè)績(jī)展望、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)趨勢(shì)等多項(xiàng)核心信息

2024年11月6日，芯聯(lián)集成披露接待調(diào)研公告，公司于11月5日接待線上參與公司2024年第三季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)的投資者1家機(jī)構(gòu)調(diào)研。公告顯示，芯聯(lián)集成參...

2024-11-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 857 0

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來(lái)說(shuō)，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 857 0

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展

碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MO...

2024-03-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)英飛凌 MOSFET 856 0

長(zhǎng)電科技高可靠性車(chē)載SiC功率器件封裝設(shè)計(jì)

長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門(mén)產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。

2023-10-07 標(biāo)簽：電池管理 SiC 電機(jī)控制系統(tǒng) 854 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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