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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

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納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

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2024-06-11 標(biāo)簽:服務(wù)器數(shù)據(jù)中心碳化硅 638 0

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2023-07-14 標(biāo)簽:通信設(shè)備芯片制造碳化硅 638 0

安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資,加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天,荷蘭半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布,計劃投資高達...

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英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

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【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)...

2023-02-09 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅 635 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

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近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...

2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子碳化硅 635 0

全球最大,200毫米,碳化硅晶圓廠落戶

在未來五年內(nèi),英飛凌將再投入多達50億歐元進行居林第三廠區(qū)(Module Three)的二期建設(shè)。到2030年末,這項投資再加上計劃在菲拉赫與居林工廠的...

2023-08-23 標(biāo)簽:英飛凌晶圓碳化硅 634 0

極狐阿爾法S5續(xù)航超500公里,四驅(qū)版動力390千瓦?

 據(jù)了解,阿爾法 S5 風(fēng)阻系數(shù)低至 0.1925,四驅(qū)版本則配上前+后異步雙電機的組合,最大綜合功率達到 390 千瓦,綜合扭矩為 690 牛?米。配...

2024-03-27 標(biāo)簽:電機碳化硅阿爾法 632 0

納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日...

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碳化硅:最近比較煩!

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2023-03-30 標(biāo)簽:功率器件碳化硅氧化鎵 631 0

X-Fab與Soitec攜手推進碳化硅功率器件生產(chǎn)

近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠...

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瑞薩電子:計劃進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域,預(yù)計2025年會大批量產(chǎn)

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來源:SiSC半導(dǎo)體芯科技 在剛剛過去的2023年,半導(dǎo)體成為全球科技創(chuàng)新的熱點和區(qū)域博弈的焦點。半導(dǎo)體行業(yè)在2023年上半年經(jīng)歷了短暫的低迷,但下半年...

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2023-11-06 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅 629 0

派恩杰亮相上海SNEC光伏展,展示碳化硅功率器件

6月13日-6月15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會(以下簡稱“SNEC光伏展”)于上海國家會展中心舉辦。本次展會,...

2024-06-18 標(biāo)簽:功率器件碳化硅派恩杰 628 0

英飛凌馬來西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎

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2024-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓廠碳化硅 628 0

三星進軍GaN代工

一直專注于汽車半導(dǎo)體市場的三星電子宣布進軍下一代功率半導(dǎo)體市場。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時代是否會結(jié)束、新材料市場是否會打開,業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。

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碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠大于硅(Si)的1.12eV,這...

2024-11-25 標(biāo)簽:探測器光電器件SiC 626 0

蘇州高新區(qū)新添三大總部項目,覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)

國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售,以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。

2024-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 626 0

SiC產(chǎn)業(yè)鏈與SiC戰(zhàn)略初探

隨著我們逐漸擺脫化石燃料,世界正在認(rèn)識到功率半導(dǎo)體的至關(guān)重要性。 能源效率、電氣化和二氧化碳減排是我們這個時代的口號,但它們只是最近一系列碳化硅(SiC...

2023-10-16 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 625 0

三安半導(dǎo)體與虹安微電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,三安半導(dǎo)體與虹安微電子在湖南長沙成功簽署了一項重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議,標(biāo)志著雙方在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的合作邁上了新臺階。此次合作旨在通過強強聯(lián)合,共...

2024-09-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 624 0

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