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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列
? 具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能,全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運行和快速開關(guān),為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。 加利福尼亞...
2024-06-11 標(biāo)簽:服務(wù)器數(shù)據(jù)中心碳化硅 638 0
該報道指出,嘉晶的鎵供應(yīng)來源為韓國廠商,韓廠并未因此一禁令而提高報價,后續(xù)仍待觀察。漢磊則未用到鎵,因此,未受到影響。以產(chǎn)能來看,嘉晶2024年GaN產(chǎn)...
安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資,加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)
在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天,荷蘭半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布,計劃投資高達...
2024-06-28 標(biāo)簽:碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 636 0
英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議
【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)...
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...
在未來五年內(nèi),英飛凌將再投入多達50億歐元進行居林第三廠區(qū)(Module Three)的二期建設(shè)。到2030年末,這項投資再加上計劃在菲拉赫與居林工廠的...
極狐阿爾法S5續(xù)航超500公里,四驅(qū)版動力390千瓦?
據(jù)了解,阿爾法 S5 風(fēng)阻系數(shù)低至 0.1925,四驅(qū)版本則配上前+后異步雙電機的組合,最大綜合功率達到 390 千瓦,綜合扭矩為 690 牛?米。配...
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 632 0
碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小,性能越來越好,所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加,使其成為HEV電力驅(qū)動裝置中的理想器件,可以顯著減小電力電子驅(qū)...
X-Fab與Soitec攜手推進碳化硅功率器件生產(chǎn)
近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠...
瑞薩電子:計劃進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域,預(yù)計2025年會大批量產(chǎn)
來源:SiSC半導(dǎo)體芯科技 在剛剛過去的2023年,半導(dǎo)體成為全球科技創(chuàng)新的熱點和區(qū)域博弈的焦點。半導(dǎo)體行業(yè)在2023年上半年經(jīng)歷了短暫的低迷,但下半年...
威邁斯:1-9月直接出口產(chǎn)品均應(yīng)用了SiC材料
在第三代半導(dǎo)體中,碳化硅功率器件在傳導(dǎo)電阻,阻隔電壓和電容器方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件,具有更高的耐壓性能。在車用電源和電驅(qū)動系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域,碳化硅功率器件取...
6月13日-6月15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會(以下簡稱“SNEC光伏展”)于上海國家會展中心舉辦。本次展會,...
英飛凌馬來西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎
在今日科技日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展的時代背景下,德國科技巨頭英飛凌近日在半導(dǎo)體行業(yè)再次掀起了波瀾。據(jù)報道,該公司已完成位于馬來西亞居林的200mm碳...
一直專注于汽車半導(dǎo)體市場的三星電子宣布進軍下一代功率半導(dǎo)體市場。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時代是否會結(jié)束、新材料市場是否會打開,業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。
2023-07-10 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 627 0
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠大于硅(Si)的1.12eV,這...
蘇州高新區(qū)新添三大總部項目,覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)
國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售,以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。
2024-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 626 0
SiC產(chǎn)業(yè)鏈與SiC戰(zhàn)略初探
隨著我們逐漸擺脫化石燃料,世界正在認(rèn)識到功率半導(dǎo)體的至關(guān)重要性。 能源效率、電氣化和二氧化碳減排是我們這個時代的口號,但它們只是最近一系列碳化硅(SiC...
三安半導(dǎo)體與虹安微電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,三安半導(dǎo)體與虹安微電子在湖南長沙成功簽署了一項重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議,標(biāo)志著雙方在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的合作邁上了新臺階。此次合作旨在通過強強聯(lián)合,共...
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