碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些？碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些？國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體功率器件 13.9萬 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 10.9萬 0

啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

SiC在天然環(huán)境下非常罕見，最早是人們?cè)谔?yáng)系剛誕生的46億年前的隕石中，發(fā)現(xiàn)了少量這種物質(zhì)，所以它又被稱為“經(jīng)歷46億年時(shí)光之旅的半導(dǎo)體材料”。

2019-07-24 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅 8.9萬 0

三種碳化硅的主要制備方法

目前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）；頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法（TSSG）；高溫化學(xué)氣相沉積法（HT-CVD）。其中TSSG法生長(zhǎng)晶體尺寸...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.6萬 0

碳化硅晶圓生長(zhǎng)，難在哪里？

相較于硅（Si），采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模，主要的原因就出在...

2018-10-10 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 2.8萬 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀(jì)五十年代以來，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 2.4萬 0

小米發(fā)布GaN充電器，2020年將是GaN的起飛之年

2月13日，小米舉辦的小米10線上發(fā)布會(huì)上，除了手機(jī)，還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...

2020-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅小米 2.3萬 0

碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢(shì)與發(fā)展瓶頸!

　　碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，受到大家的喜愛，不斷地推陳出新，大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出，市場(chǎng)反應(yīng)碳化硅元器件的...

2017-12-13 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 2.3萬 0

盤點(diǎn)第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳...

2018-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.8萬 1

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...

2022-08-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 1.8萬 0

關(guān)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹

司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.7萬 0

igbt和碳化硅區(qū)別是什么？

igbt和碳化硅區(qū)別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。一、材料： IGBT（Insulated Gat...

2023-08-25 標(biāo)簽：UPS IGBT 晶體管 1.7萬 0

為何一個(gè)小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%？

任何電子產(chǎn)品都離不開電源，隨著各個(gè)國(guó)家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，對(duì)電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱剩瑴p少...

2020-05-02 標(biāo)簽：英飛凌數(shù)據(jù)中心 SiC 1.7萬 0

一文了解碳化硅(SiC)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)技術(shù)

SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個(gè)間距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻機(jī)光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻...

2024-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.7萬 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）行業(yè)研究報(bào)告：市場(chǎng)空間、未來展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理

近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體檢測(cè)SiC 1.6萬 0

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)？

文章來源：電子技術(shù)設(shè)計(jì) 作者：廖均電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器...

2020-10-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電源 SiC 1.6萬 0

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電...

2020-06-18 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體華潤(rùn)微電子碳化硅 1.5萬 0

三安集成：6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.5萬 0

基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）

傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中，IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD（快恢復(fù)二極管）為主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力，對(duì)開關(guān)損耗是很大的拖累。

2024-05-30 標(biāo)簽：IGBT 肖特基二極管碳化硅 1.4萬 0

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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