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標(biāo)簽 > 第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

  半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段:

  第一代材料是硅,以硅(Si)和鍺(Ge )為代表,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。

  第二代材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵( GaP )為代表,目前的大部分通信設(shè)備的材料。

  第三點(diǎn)材料以氮化鎵( GaN)、碳化硅( SiC)、金剛石為代表 ,未來(lái)5G時(shí)代的標(biāo)配。

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第三代半導(dǎo)體知識(shí)

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第三代半導(dǎo)體技術(shù)

第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別

半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到...

2024-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子元件絕緣體 1114 0

英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案

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2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案,包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器,可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...

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碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過(guò)利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更...

2024-02-29 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1654 0

?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

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半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

2023-12-21 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 3248 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT氮化鎵 700 0

ST 基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

ST 基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源,使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。 電路設(shè)計(jì)包括前端無(wú)橋圖...

2023-05-25 標(biāo)簽:ST數(shù)字電源全橋LLC諧振 2712 0

基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標(biāo)準(zhǔn)的參考電源設(shè)計(jì)

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專門設(shè)計(jì)來(lái)控制ZVS非互補(bǔ)有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器,以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

2023-04-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN快充 889 0

基于ST VIPERGAN65 的65W PD 快充方案

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ST推出內(nèi)置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65,尺寸為5*6mm,支持PD快充和緊湊型電源,提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...

2023-03-22 標(biāo)簽:ST氮化鎵快充 1496 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

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第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

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新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)

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第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。

2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 680 0

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第三代半導(dǎo)體資訊

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 471 0

康佳進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體封測(cè)

11月8日,據(jù)鹽城網(wǎng)消息,康佳芯云半導(dǎo)體科技(鹽城)有限公司(下文簡(jiǎn)稱“康佳芯云”)負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示,公司正在推動(dòng)對(duì)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā),并...

2024-11-12 標(biāo)簽:康佳封測(cè)第三代半導(dǎo)體 244 0

第1波嘉賓劇透!六大院士專家精彩分享:AEMIC第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展

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第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù) 創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展 ? “芯”材料? 新領(lǐng)航?? 11月6-8日,深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安) ? ? 主辦單位 中國(guó)...

2024-09-10 標(biāo)簽:第三代半導(dǎo)體 274 0

去庫(kù)存效果怎樣?9家大廠中報(bào),看功率半導(dǎo)體市場(chǎng)年底走勢(shì)

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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,多家本土功率半導(dǎo)體廠商公布了2024上半年業(yè)績(jī)。去年乘著工業(yè)和電動(dòng)汽車市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,功率半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是SiC...

2024-09-02 標(biāo)簽:IGBT士蘭微功率器件 5350 0

半導(dǎo)體行業(yè)回暖,萬(wàn)年芯深耕高端封裝

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2024年,近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)回暖,在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中,封測(cè)技術(shù)作為后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),作用愈發(fā)凸顯。萬(wàn)年芯憑借其在封裝測(cè)試領(lǐng)域夯...

2024-08-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝測(cè)試碳化硅 388 0

萬(wàn)年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

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英飛凌于近期宣布,其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè),該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠。無(wú)獨(dú)有偶,安...

2024-08-16 標(biāo)簽:晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 500 0

萬(wàn)年芯:“國(guó)家隊(duì)”出手!各國(guó)角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

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以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力,已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...

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國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如何解讀?

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電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請(qǐng),不出意外的話將會(huì)獲得成功上市。這對(duì)于國(guó)內(nèi)眾多三代半的功率器件...

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替代Trench MOSFET?國(guó)產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近幾年第三代半導(dǎo)體在功率器件上發(fā)光發(fā)熱,低壓消費(fèi)應(yīng)用上GaN器件統(tǒng)治充電頭市場(chǎng),新能源汽車高壓平臺(tái)上SiC器件逐漸成為標(biāo)配...

2024-08-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件第三代半導(dǎo)體 6847 0

SiC和GaN加速上車!2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何?Yole專家揭秘

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近日,在慕尼黑上海電子展的論壇上,Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場(chǎng)工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場(chǎng)最新發(fā)展...

2024-07-19 標(biāo)簽:SiCGaN第三代半導(dǎo)體 6262 0

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第三代半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則;負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作,擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等;對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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