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標簽 > 第三代半導體
第三代半導體主要是材料的變化。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發展經歷了三個階段。
半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發展經歷了三個階段:
第一代材料是硅,以硅(Si)和鍺(Ge )為代表,就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵( GaP )為代表,目前的大部分通信設備的材料。
第三點材料以氮化鎵( GaN)、碳化硅( SiC)、金剛石為代表 ,未來5G時代的標配。
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
第三代半導體是一種新型的半導體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設備的性能。
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