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標簽 > 第三代半導體

第三代半導體

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第三代半導體主要是材料的變化。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發展經歷了三個階段。

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第三代半導體簡介

  半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發展經歷了三個階段:

  第一代材料是硅,以硅(Si)和鍺(Ge )為代表,就是第一代半導體的產業園。

  第二代材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵( GaP )為代表,目前的大部分通信設備的材料。

  第三點材料以氮化鎵( GaN)、碳化硅( SiC)、金剛石為代表 ,未來5G時代的標配。

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第三代半導體知識

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